|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
1. |
А. И. Берча, Д. В. Корбутяк, Ю. В. Крюченко, В. Г. Литовченко, Р. Балтрамеюнас, Е. Геразимас, “Оптическое усиление в квантовых сверхрешетках GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1696–1701 |
|
1991 |
2. |
Д. В. Корбутяк, В. Г. Литовченко, А. И. Берча, Р. Балтрамеюнас, Г. Геразимас, Э. Куокштис, “Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериодных сверхрешетках”, Физика твердого тела, 33:8 (1991), 2418–2422 |
3. |
Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, А. Казлаускас, В. Д. Рыжиков, Е. В. Марков, В. А. Теплицкий, М. А. Каменский, В. В. Смирнов, “Эффекты деформации фундаментального края дефектами в двухфотонной спектроскопии полупроводников”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 944–946 |
4. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, В. Нятикшис, М. Пятраускас, Э. Скайстис, “Изменение оптических свойств кристаллов кремния в пикосекундном
временно́м диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 736–739 |
5. |
Р. Балтрамеюнас, В. Гульбинас, А. И. Екимов, И. А. Кудрявцев, С. Пакальнис, Г. Тамулайтис, Д. И. Чепик, “Быстрое переключение пропускания света в стеклах, активированных
микрокристаллами CdS”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 271–275 |
|
1990 |
6. |
Р. Балтрамеюнас, Е. Геразимас, Э. Куокштис, Д. В. Корбутяк, В. Г. Литовченко, Е. В. Михайловская, “Экситоны в спектрах люминесценции сверхтонких пленок PbI$_{2}$”, Физика твердого тела, 32:5 (1990), 1339–1344 |
7. |
Р. Балтрамеюнас, Э. Геразимас, А. Жукаускас, И. В. Крюкова, В. А. Теплицкий, С. Юршенас, “Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы
в лазерных кристаллах CdS”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1550–1556 |
8. |
Р. Балтрамеюнас, С. Бурачас, Е. Н. Пирогов, В. Д. Рыжиков, Г. Тамулайтис, “Быстрозатухающая компонента излучения ортогерманата висмута”, Письма в ЖТФ, 16:12 (1990), 11–14 |
|
1989 |
9. |
Р. Балтрамеюнас, С. Юршенас, А. Жукаускас, Э. Куокштис, “Релаксация энергии фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы в твердом растворе CdS$_{1-x}$Se$_{x}$”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 259–261 |
10. |
Р. Балтрамеюнас, Е. Геразимас, Б. Е. Деркач, Э. П. Куокштис, А. И. Савчук, “Экситонные спектры структур с естественными квантовыми ямами Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$I$_{2}$/PbI$_{2}$”, Физика твердого тела, 31:9 (1989), 285–288 |
11. |
Р. Балтрамеюнас, С. Ф. Бурачас, А. Жукаускас, Е. Н. Пирогов, В. Д. Рыжиков, Г. Тамулайтис, “Селективно возбужденная люминесценция тригерманата висмута”, Физика твердого тела, 31:9 (1989), 249–251 |
12. |
Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, Г. Пузонас, А. Казлаускас, Ш. М. Эфендиев, Н. Дарвишов, В. Э. Багиев, “Непрямые межзонные переходы в монокристаллах РbМоO$_{4}$. Двухфотонная спектроскопия”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 305–308 |
13. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, Э. Скайстис, “Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча
в кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1214–1219 |
14. |
Р. Балтрамеюнас, X. Вайнерт, Е. Геразимас, Э. Куокштис, Ф. Хеннебергер, “Исследование оптического усиления в сверхрешетках
GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 792–795 |
15. |
Р. Балтрамеюнас, С. Юршенас, А. Жукаускас, Э. Куокштис, В. Латинис, “Кинетика возгорания люминесценции остывающей электронно-дырочной
плазмы в кристалле CdSe”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 565–568 |
16. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, “Влияние амплитудной решетки на дифракционную эффективность
динамических голограмм в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 517–520 |
|
1988 |
17. |
Р. Балтрамеюнас, Е. Геразимас, Д. В. Корбутяк, Ю. В. Крюченко, Э. П. Куокштис, В. Г. Литовченко, “Особенности спектров оптического усиления квазидвумерной электронно-дырочной плазмы”, Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2020–2023 |
18. |
Р. Балтрамеюнас, А. Жукаускас, В. Стяпанкявичюс, “Неоднородное уширение полосы излучения электронно-дырочной плазмы в кристаллах ZnSe”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1832–1834 |
19. |
Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, В. Кубертавичюс, “Глубокие локальные уровни как виртуальные промежуточные состояния процесса двухфотонного поглощения в кристаллах ZnO и ZnSe”, Физика твердого тела, 30:4 (1988), 1089–1097 |
20. |
Р. Балтрамеюнас, А. Васькив, Е. Геразимас, Э. Куокштис, А. Франив, “Коллективные эффекты в сильно возбужденных слоистых кристаллах InI”, Физика твердого тела, 30:2 (1988), 447–451 |
21. |
Х. Вайнерт, В. Латинис, С. Юршенас, Р. Балтрамеюнас, “Исследования экситонной люминесценции сверхрешеток
GaAs$-$GaAlAs с пикосекундным временны́м разрешением”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2232–2236 |
22. |
Р. Балтрамеюнас, Р. Гашка, Э. Куокштис, В. Нятикшис, М. Пятраускас, “Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток
в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1422–1427 |
23. |
Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, В. Рыжиков, А. Казлаускас, В. Кубертавичюс, “Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах
ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1163–1170 |
24. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, “Влияние мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах
кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 146–147 |
|
1987 |
25. |
Р. Балтрамеюнас, В. Нятикшис, М. Пятраускас, Э. Жилинскас, “Исследование быстропротекающих рекомбинационных процессов
в имплантированных структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2223–2225 |
26. |
Р. Балтрамеюнас, Р. Гашка, Э. Куокштис, Я. Синюс, “Воздействие наносекундных лазерных импульсов на поверхность
ионно-легированного кремния при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2219–2223 |
27. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, К. Дебейкис, “Нелинейное поглощение света и самофокусировка лазерного луча
в монокристаллах селенида цинка”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1203–1206 |
28. |
Р. Балтрамеюнас, А. Жукаускас, В. Латинис, В. Стяпанкявичюс, С. Юршенас, “Релаксация энергии электронно-дырочной плазмы в сильно возбужденном
CdSe”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 932–935 |
|
1986 |
29. |
Р. Балтрамеюнас, А. Жукаускас, Г. Тамулайтис, “Глубина проникновения плотного экситонного газа в кристалл”, Физика твердого тела, 28:8 (1986), 2570–2572 |
30. |
Р. Балтрамеюнас, А. Жукаускас, Г. Тамулайтис, “Взаимодействие продольных оптических фононов со сверхзатухающими неравновесными плазмонами в GaAs”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1576–1577 |
31. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, И. Каптураускас, В. Кажукаускас, Ю. Стораста, “Нелинейная рефракция и изменение холловской подвижности в сильно
возбужденных кристаллах CdSe”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1243–1247 |
32. |
Р. Балтрамеюнас, А. Жукаускас, Г. Тамулайтис, “Экранирование электрон-фононного взаимодействия в сильно
возбужденном селениде кадмия”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1141–1143 |
|
1985 |
33. |
Р. Балтрамеюнас, Э. Куокштис, Г. Тамулайтис, “Поляризация люминесценции электронно-дырочной плазмы в кристаллах CdSe при смешивании дырочных зон”, Физика твердого тела, 27:12 (1985), 3672–3673 |
34. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, И. Каптураускас, “Дефокусировка лазерного излучения и механизм светонаведенного изменения показателя преломления в кремнии”, Физика твердого тела, 27:10 (1985), 2931–2935 |
35. |
Р. Балтрамеюнас, А. Залищевский, Э. Куокштис, В. Стяпанкявичус, Г. Тамулайтис, “Влияние экситон-экситонного взаимодействия на поляризационные свойства люминесценции монокристаллов CdSe при сильном возбуждении”, Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1478–1482 |
36. |
Р. Балтрамеюнас, Р. Баубинас, Ю. Ю. Вайткус, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, “Исследование глубоких уровней в монокристаллах ZnSe методом нелинейной спектроскопии поглощения”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 371–378 |
|
1984 |
37. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, И. Каптураускас, “Самовоздействие мощных световых пучков
в кристаллах CdSe”, Письма в ЖТФ, 10:9 (1984), 522–526 |
|
1983 |
38. |
Р. Балтрамеюнас, Ю. Вищакас, В. Гаврюшин, В. Кубертавичюс, И. Тычина, “Исследования спектральных зависимостей двухфотонного поглощения в монокристаллах ZnP$_{2}$ тетрагональной модификации”, Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3701–3703 |
39. |
Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, В. Кубертавичюс, Г. Рачюкайтис, “Исследования особенностей нелинейного поглощения света в монокристаллах ZnO”, Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3596–3605 |
40. |
Р. Балтрамеюнас, А. Жукаускас, Н. Зейналов, Э. Куокштис, “Люминесценция монокристаллов
TlInS$_{2}$ при лазерных уровнях возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1898–1900 |
41. |
Р. Балтрамеюнас, Р. Гашка, Э. Куокштис, Я. Синюс, “Лазерный и термический отжиг тонких пленок сульфида свинца”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1857–1859 |
|
1982 |
42. |
Р. Балтрамеюнас, Ю. Ю. Вайткус, Р. Данелюс, М. Пятраускас, А. Пискарскас, “Применение динамической голографии для измерения времени когерентности одиночных пикосекундных импульсов света”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1921–1923 [R. A. Baltrameyunas, Yu. Yu. Vaǐtkus, R. Danelyus, M. Pyatrauskas, A. Piskarskas, “Applications of dynamic holography in determination of coherence times of single picosecond light pulses”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1252–1254 ] |
5
|
|
1981 |
43. |
Р. Балтрамеюнас, А. А. Гладыщук, В. П. Грибковский, Э. П. Куокштис, Г. П. Яблонский, “Люминесценция и генерация света в монокристаллах ZnSe при одно- и двухфотонном возбуждении”, Квантовая электроника, 8:4 (1981), 898–901 [R. A. Baltrameyunas, A. A. Gladyshchuk, V. P. Gribkovskiǐ, È. P. Kuokshtis, G. P. Yablonskii, “Luminescence and lasing of ZnSe single crystals subjected to one- and two-photon excitation”, Sov J Quantum Electron, 11:4 (1981), 539–541 ] |
11
|
|