|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
В. И. Борисов, А. Т. Гореленок, С. Г. Дмитриев, В. Е. Любченко, Д. Н. Рехвиашвили, А. С. Рогашков, “Диоды Ганна на основе гетероструктуры
$n$-InGaAs$/n^{+}$-InP”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 611–613  |
| 2. |
С. В. Беляков, Л. А. Бусыгина, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. А. Кукатов, А. В. Меркулов, И. А. Мокина, Н. М. Шмидт, Т. А. Юре, “Диффузия Zn в InP и твердые растворы на его основе из полимерных
пленочных диффузантов”, Письма в ЖТФ, 18:13 (1992), 35–38  |
|
1991 |
| 3. |
А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 908–912 |
|
1990 |
| 4. |
А. Т. Гореленок, Н. Д. Ильинская, М. И. Костина, Е. С. Новикова, М. А. Панченко, А. Э. Петров, “Диагностика гетерограниц InGaAsP/InP по оже-профилям косого шлифа,
полученного химическим травлением”, ЖТФ, 60:10 (1990), 177–180 |
| 5. |
М. В. Белоусов, А. Т. Гореленок, В. Ю. Давыдов, Р. В. Каржавин, И. А. Мокина, Н. М. Шмидт, И. Ю. Якименко, “Исследование влияния химической обработки InP на скорость
поверхностной рекомбинации методом комбинационного
рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2177–2180 |
| 6. |
А. Дерингас, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, И. А. Мокина, Н. М. Шмидт, “Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на
основе InP : Fe”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2167–2171 |
| 7. |
В. Балинас, А. Т. Гореленок, А. Кроткус, А. Сталненис, Н. М. Шмидт, “Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической
стробирующей установки”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 848–854 |
| 8. |
А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Двумерный электронный газ в гетероструктурах
In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As,
выращенных жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 16:8 (1990), 47–50 |
|
1989 |
| 9. |
М. А. Абдуллаев, А. Т. Гореленок, С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Д. В. Пуляевский, Р. П. Сейсян, К. Э. Штенгель, “Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 201–206 |
|
1988 |
| 10. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Кумар Ракеш, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Концентрация и подвижность электронов в InP и
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 35–43 |
| 11. |
Ж. И. Алфров, В. И. Босый, А. Т. Гореленок, А. В. Иващук, Н. Д. Ильинская, М. Н. Мизеров, И. А. Мокина, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, “Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе
InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1807–1810 |
|
1987 |
| 12. |
Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Л. П. Никитин, “Фотолюминесцентные исследования захвата носителей в квантовую яму ДГС
InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 1983–1988 |
| 13. |
А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Д. В. Пуляевский, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, “Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области
диодных InGaAsP/InP-структур”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1498–1501 |
| 14. |
А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, К. К. Репшас, Ю. В. Шмарцев, “Магниторезистивная ЭДС квазидвумерного электронного газа
в гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1479–1481 |
| 15. |
Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, М. Игнатавичус, В. И. Корольков, А. Кроткус, В. Поцюнас, Н. М. Шмидт, “Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов
электрическим полем”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 70–74 |
| 16. |
Л. А. Волков, А. Т. Гореленок, В. Н. Лукьянов, И. А. Рачков, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, С. Д. Якубович, “Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987), 1059–1062 |
|
1986 |
| 17. |
А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Ю. В. Шмарцев, “Задержка и подавление токового шнура магнитным полем в квазидвумерных
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$Аs/InР-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1488–1491 |
| 18. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Спиновое расщепление зоны проводимости в InP”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 347–350 |
|
1985 |
| 19. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Т. В. Декальчук, Н. Д. Ильинская, И. С. Тарасов, А. А. Декальчук, И. А. Мокина, “Мезаполосковые
InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия”, ЖТФ, 55:9 (1985), 1872–1876 |
| 20. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569 |
| 21. |
Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, Р. Вашкявичюс, “Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах
InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2004–2007 |
| 22. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, З. П. Добровольскис, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, “Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях
InP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1460–1463 |
| 23. |
Л. В. Берман, А. Т. Гореленок, А. Г. Жуков, В. В. Мамутин, “Субмиллиметровая фотопроводимость эпитаксиального InP, легированного
редкоземельными элементами”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1394–1398 |
| 24. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, М. З. Жингарев, Л. Е. Клячкин, В. В. Мамутин, Н. М. Сараджишвили, В. И. Скопина, О. В. Сулима, Н. М. Шмидт, “Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP
и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 668–673 |
| 25. |
В. Г. Голубев, А. Т. Гореленок, В. И. Иванов-Омский, В. В. Мамутин, И. Г. Минервин, А. В. Осутин, “Наблюдение спектров фотовозбуждения мелких доноров и циклотронного резонанса свободных электронов в $In\,P$, легированном $Cd$ и $Yb$”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 347–351 |
|
1984 |
| 26. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, И. С. Тарасов, “Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики
гетеролазеров
InGaAsP/InP (${\lambda=1.55}$ мкм)”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2047–2050 |
| 27. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах
InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2036–2040 |
| 28. |
Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов
в гетероструктурах InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1999–2005 |
| 29. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Влияние несоответствия параметров решеток на
$I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1413–1416 |
| 30. |
А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, “Особенности развития токовых шнуров в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1383–1385 |
| 31. |
Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, А. В. Приходько, В. В. Рождественский, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости
в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1237–1241 |
| 32. |
Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных
жидкофазной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1230–1232 |
| 33. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах
InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1034–1038 |
| 34. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Б. В. Пушный, В. К. Тибилов, Ю. П. Толпаров, А. Е. Шубин, “Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 83–85 |
| 35. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе
$N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1294–1297 |
| 36. |
Ж. И. Алфров, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, Н. Д. Ильинская, И. С. Тарасов, “Низкопороговые мезаполосковые
JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 961–964 |
|
1983 |
| 37. |
А. Т. Гореленок, В. И. Колышкин, И. С. Тарасов, “Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные
имплантацией ионов кислорода”, ЖТФ, 53:10 (1983), 1973–1978 |
| 38. |
М. Г. Васильев, А. А. Гвоздев, А. Т. Гореленок, Ю. В. Гуляев, В. Ф. Дворянкин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, В. В. Кожин, Е. Т. Неделин, Г. А. Синицина, И. С. Тарасов, А. А. Телегин, А. С. Усиков, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе
InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1413–1414 |
| 39. |
Д. З. Гарбузов, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, Н. Д. Ильинская, В. Б. Халфин, “Торцевые спонтанные излучатели на основе
ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1408–1411 |
| 40. |
К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, С. Л. Карпенко, В. В. Мамутин, Р. П. Сейсян, “Эффекты легирования редкоземельными элементами в низкотемпературной
краевой люминесценции InP”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2148–2151 |
| 41. |
В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, А. Т. Гореленок, “Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных
соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе
системы InGaAsP”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1402–1405 |
| 42. |
Н. С. Аверкиев, А. Т. Гореленок, И. С. Тарасов, “Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного
потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 997–1002 |
| 43. |
Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, А. В. Каманин, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Высокоэффективный фотодетектор
для ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 9:24 (1983), 1516–1519 |
|
1982 |
| 44. |
Ж. И. Алферов, М. И. Беловолов, А. Н. Гурьянов, А. Т. Гореленок, Е. М. Дианов, А. А. Кузнецов, А. В. Кузнецов, A. М. Прохоров, И. С. Тарасов, “Многоканальная дуплексная волоконно-оптическая линия связи на длине волны 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1698–1700 [Zh. I. Alferov, M. I. Belovolov, A. N. Gur'yanov, A. T. Gorelenok, E. M. Dianov, A. A. Kuznetsov, A. V. Kuznetsov, A. M. Prokhorov, I. S. Tarasov, “Multichannel duplex fiber-optic communication line operating at the wavelength of 1.3 μ”, Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 1088–1090 ] |
|
1979 |
| 45. |
М. И. Беловолов, А. Т. Гореленок, Е. М. Дианов, А. А. Кузнецов, И. С. Тарасов, “Макет волоконно-оптической линии связи со спектральным уплотнением в области 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 6:11 (1979), 2487–2490 [M. I. Belovolov, A. T. Gorelenok, E. M. Dianov, A. A. Kuznetsov, I. S. Tarasov, “Prototype fiber-optical communication line with spectral multiplexing in the 1.3μ region”, Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1473–1475] |
|
1978 |
| 46. |
Ж. И. Алферов, М. И. Беловолов, А. Т. Гореленок, А. Н. Гурьянов, Г. Г. Девятых, Е. М. Дианов, А. Я. Карасик, В. И. Колышкин, П. С. Копьев, А. М. Прохоров, А. С. Юшин, “Волоконно-оптическая линия передачи сигналов для систем дальней связи на длине волны 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2486–2488 [Zh. I. Alferov, M. I. Belovolov, A. T. Gorelenok, A. N. Gur'yanov, G. G. Devyatykh, E. M. Dianov, Ya. Karasik, V. I. Kolyshkin, P. S. Kop'ev, A. M. Prokhorov, A. S. Yushin, “Fiber-optical long-distance telecommunication line operating at the wavelength of 1.3 μ”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1403–1404] |
2
|
|
Обратная связь: