|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. М. Тигиняну, Н. А. Молдовян, О. Б. Стойка, “Фононный спектр и краевое поглощение в соединении CdAl$_{2}$S$_{4}$”, Физика твердого тела, 34:3 (1992), 967–969   |
|
1991 |
| 2. |
Н. А. Молдовян, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов
ZnAl$_{2(1-x)}$Ga$_{2x}$S$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2038–2039 |
|
1990 |
| 3. |
И. А. Дамаскин, Вал. П. Зенченко, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. Е. Тэзлэван, В. Н. Фулга, “Спектры КРС соединения $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ с различным упорядочением катионной подрешетки”, Докл. АН СССР, 315:6 (1990), 1365–1367 |
| 4. |
В. Л. Августимов, Д. И. Биднык, С. П. Костенко, О. Г. Максимова, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, А. К. Школьный, “Изменения ближнего порядка в поверхностных слоях $\mathrm{Hg}_x\mathrm{Cd}_{1-x}\mathrm{Te}$ при имплантации ионов $\mathrm{He}^{2+}$”, Докл. АН СССР, 313:2 (1990), 330–333 |
| 5. |
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, Е. А. Кудрявцева, В. А. Урсу, И. Н. Цыпленков, В. Н. Ламм, В. А. Шераухов, “Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию
эпитаксиальных слоев в $n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2034–2036 |
|
1989 |
| 6. |
С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, Ю. О. Дерид, “Влияние тетрагонального сжатия решетки на излучательные свойства соединений
$\mathrm{A}^\mathrm{II}\mathrm{B}_2^\mathrm{III}\mathrm{C}_4^\mathrm{VI}$”, Докл. АН СССР, 305:2 (1989), 347–350 |
| 7. |
И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, В. Н. Фулга, “О фазовом переходе порядок$-$беспорядок в катионной подрешетке
соединения ZnGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1725–1727 |
| 8. |
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, Е. А. Кудрявцева, “Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами
с энергией ${3.5\div4}$ МэВ”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1581–1583 |
| 9. |
И. М. Тигиняну, “Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по
энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1568–1571 |
|
1988 |
| 10. |
И. М. Тигиняну, Н. Б. Пышная, А. В. Спицын, В. В. Урсаки, “Влияние имплантации ионов собственных компонентов
на электрические свойства кристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1814–1817 |
| 11. |
В. П. Калинушкин, Т. М. Мурина, И. М. Тигиняну, В. А. Юрьев, “Влияние отжига на рассеяние света примесными скоплениями
в полуизолирующих кристаллах InP : Fe и GaAs : Cr”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1112–1114 |
| 12. |
А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1110–1112 |
| 13. |
И. И. Показной, Ф. С. Шишияну, И. М. Тигиняну, В. П. Никифоров, В. П. Шонтя, “Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного
полуизолирующего GaAs при термообработке”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1108–1110 |
| 14. |
А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, “Антиструктурные дефекты в соединениях
$A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 3–15 |
|
1986 |
| 15. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1179–1180 |
| 16. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена
на спектры фотопроводимости и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$»”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2131 ; A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»”, Semiconductors, 20:11 (1986), 1332 |
| 17. |
А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Температурная зависимость края поглощения в соединениях
CdGa$_{2}$Se$_{4}$ и CdIn$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1914–1916 |
| 18. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости
и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1116–1118 |
|
1985 |
| 19. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Фотопроводимость фосфида индия, обусловленная антиструктурным дефектом
P$_{\text{In}}$”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1310–1312 |
| 20. |
А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида
индия”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 810–813 |
| 21. |
А. Н. Георгобиани, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Широкозонные полупроводники
A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические
и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 193–212 |
| 22. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, О. В. Огнева, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну, “Свойства $p{-}n$-перехода, полученного ионной имплантацией магния
в InP”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 160–161 |
|
1984 |
| 23. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах
InP$\langle$Fe$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1812–1815 |
|
1983 |
| 24. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну, “Фотолюминесценция кристаллов
InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2177–2179 |
| 25. |
А. Н. Георгобиани, В. С. Дону, З. П. Илюхина, В. И. Павленко, И. М. Тигиняну, “Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1524–1525 |
| 26. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микулнок, Е. И. Панасюк, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Глубокие центры в не легированных и легированных железом
монокристаллах фосфида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 593–598 |
|
1982 |
| 27. |
А. Н. Георгобиани, М. В. Глушков, А. А. Камарзин, Е. С. Логозинская, Ю. Н. Маловицкий, Ж. А. Пухлий, В. В. Соколов, И. М. Тигиняну, И. А. Щербаков, “Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов γ-La<sub>2</sub>S<sub>3</sub>”, Квантовая электроника, 9:7 (1982), 1515–1517 [A. N. Georgobiani, M. V. Glushkov, A. A. Kamarzin, E. S. Logozinskaya, Yu. N. Malovitskiǐ, Zh. A. Pukhliǐ, V. V. Sokolov, I. M. Tiginyanu, I. A. Shcherbakov, “Investigation of some photoelectric and luminescence properties of γ -La<sub>2</sub>S<sub>3</sub> single crystals”, Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 972–974 ] |
8
|
|
Обратная связь: