физика полупроводников, физика твердого тела, гетероструктуры, диссипативные структуры, спиновые явления, квантовые ямы, структуры с разрывом запрещенной зоны типа
InAs/GaSb, туннельные и туннельно-резонансные диоды, неравновесные и нестационарные явления, фазовые переходы, межподзонные оптические переходы, электрон-фононное взаимодействие, оптическая бистабильность, нелинейные волны в плазме и твердых телах, квантование Ландау, затухание Ландау, квазиклассический метод,
физика поверхности и микроэлектронных структур, полупроводниковая электроника.
Научная биография:
1974 г. - закончила физико-математическую среднюю школу № 18 им. А. Н. Колмогорова при Московском Государственном Университете; 1974 - 1980 гг. - училась в Московском физико-техническом институте на факультете физической и квантовой электроники и закончила его; 1980 - 1983 гг. - училась в аспирантуре МФТИ и защитила в 1983 году кандидатскую диссертацию по теме физики полупроводников и диэлектриков, которая называется "Автоволновые эффекты в полупроводниковых и диэлектрических системах с диффузионными и звуковыми пространственными связями". (135 c.) С 1983 г. - научная работа в институте физических проблем им. Ф. В. Лукина, затем в Физико-технологическом институте им. К. А. Валиева РАН и Институте радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН. В 1998 году защитила докторскую диссертацию "Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах" в докторском диссертационном совете Физико-технологического института РАН. (282 c.) Имею еще страницу www.mathnet.ru/rus/person72069 и страницу
https://istina.msu.ru/profile/a_zakharova
Основные публикации:
A. A. Zakharova, I. A. Semenikhin, K. A. Chao, “Optical Anisotropy of InAs/GaSb Broken-Gap Quantum Wells”, ЖЭТФ, 141:5 (2012), 840-847
A. Zakharova, “Interband tunnelling in
semiconductor heterostructures”, Semicond. Sci. Technol., 13:6 (1998), 569–575
A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao, “Hybridization of electron, light-hole, and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells”, Phys. Rev. B, 64:23 (2001), 235332
А. А. Захарова, “Межзонное резонансное туннелирование в полупроводниковых гетероструктурах в квантующем магнитном поле”, Физика твердого тела, 40:11 (1998), 2121-2126.
A. Zakharova, I. Semenikhin, K. A. Chao, “Spin-Related Phenomena in InAs/GaSb Quantum Wells”, Письма в ЖЭТФ, 94:8 (2011), 704-709
А. А. Захарова, В. И. Рыжий, “Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1182–1190; A. A. Zakharova, V. I. Ryzhii, “Quasi-paticle tunneling effects in structures based on type II heterojunctions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:7 (1992), 1182–1190
1991
2.
А. А. Захарова, В. И. Рыжий, “Осцилляции вольт-амперных характеристик монополярных транзисторных структур с квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 402–408; A. A. Zakharova, V. I. Ryzhii, “Oscillations of the current-voltage characteristics of unipolar quantum-well transistor structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 402–408
3.
В. А. Федирко, А. А. Захарова, “Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1607–1612; V. A. Fedirko, A. A. Zakharova, “Hot-electron relaxation due to equibrium density fluctuations in a hole plasma”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991), 1607–1612
1990
4.
М. Ю. Ершов, А. А. Захарова, В. И. Рыжий, “К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1265–1271; M. Yu. Ershov, A. A. Zakharova, V. I. Ryzhii, “Theory of hot-electron transport in heterostructure transistors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990), 1265–1271
1989
5.
А. А. Захарова, В. И. Рыжий, “О механизме образования пространственно-неоднородных структур в полупроводниках под действием мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1898–1900; A. A. Zakharova, V. I. Ryzhii, “Mechanism of formation of spatially inhomogeneous structures in semiconductors under the influence of high laser radiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989), 1898–1900
6.
А. А. Захарова, В. И. Рыжий, “О генерации звука при воздействии на поверхность полупроводника лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 1976–1980; A. A. Zakharova, V. I. Ryzhii, “Generation of sound as a result of interaction of laser radiation with the surface of a semiconductor”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989), 1976–1980
1985
7.
В. И. Рыжий, А. А. Захарова, С. Н. Панасов, “Высокочастотные свойства биполярных гетеротранзисторов при диффузионном переносе горячих электронов в базе”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 480–485; V. I. Ryzhii, A. A. Zakharova, S. N. Panasov, “High-Frequency Properties of Bipolar Heterotransistors under Diffusion Transfer of Hot Electrons in the Base”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985), 480–485
1984
8.
А. С. Бугаев, Ю. В. Гуляев, А. А. Захарова, В. И. Рыжий, “Акустическая неустойчивость в полупроводниках с неравновесной электронно-дырочной плазмой”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2155–2159; A. S. Bugaev, Yu. V. Gulyaev, A. A. Zakharova, V. I. Ryzhii, “Acoustic instability in semiconductor with a noniquilibrium electron-hole plasma”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984), 2155–2159
1983
9.
А. А. Захарова, Ю. И. Балкарей, А. В. Григорьянц, “Неустойчивость и температурные автоколебания в полистабильном полупроводниковом интерферометре Фабри–Перо с тепловой нагрузкой”, Квантовая электроника, 10:11 (1983), 2361–2363; A. A. Zakharova, Yu. I. Balkareǐ, A. V. Grigor'yants, “Instability and spontaneous oscillations of the temperature in a poiystable semiconductor Fabry–Perot interferometer with a thermal load”, Quantum Electron., 13:11 (1983), 1538–1540
10.
А. А. Захарова, Ю. И. Балкарей, А. С. Бугаев, Ю. В. Гуляев, “Резонансное усиление звука вблизи порога автоколебаний в полупроводниках при примесном и межзонном пробое”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 413–417; A. A. Zakharova, Yu. I. Balkareǐ, A. S. Bugaev, Yu. V. Gulyaev, “Resonant amplification of sound near the spontaneous oscillation threshould of a semiconductors under impurity and interband breakdown conditions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 413–417
1992
Обратная связь: