|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Ю. А. Гольдберг, Т. В. Львова, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, Б. В. Царенков, “Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных
структур GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1835–1840  |
| 2. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, А. Я. Шик, “Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 638–646 |
|
1989 |
| 3. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном
гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 508–516 |
|
1988 |
| 4. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном
гетеротранзисторе с тонкой базой”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2025–2034 |
| 5. |
Ю. А. Акулова, А. А. Яковенко, В. Г. Груздов, Р. А. Гуламов, В. И. Корольков, О. А. Мезрин, “Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах
с тонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1287–1290 |
| 6. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Диффузия горячих фотоэлектронов в металл — эффективный механизм
потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 176–179 |
| 7. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Царенков, “Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 129–132 |
|
1987 |
| 8. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Длинноволновый край спектральной зависимости фототока
в гетеро-$p{-}n$-переходе”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2142–2148 |
| 9. |
О. А. Мезрин, О. В. Константинов, Н. С. Аверкиев, “Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 504–513 |
| 10. |
Ж. И. Алфров, О. А. Мезрин, М. А. Синицын, С. И. Трошков, Б. С. Явич, “Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной
GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 494–499 |
| 11. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Волна туннельной ионизации в полупроводниковых структурах”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 476–481  |
| 12. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Расчет энергетических уровней двумерного электронного газа в изотипном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:1 (1987), 14–19 |
|
1986 |
| 13. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Теория $S$-образной вольтамперной характеристики в многослойной
изотипной $n^{+}{-}n$-гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1298–1301 |
| 14. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, С. И. Трошков, “Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной
зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1262–1270 |
| 15. |
Б. В. Егоров, О. А. Мезрин, “Доминирующая роль горячих фотоносителей при расчете спектральной чувствительности фотопреобразователя”, Письма в ЖТФ, 12:14 (1986), 890–893 |
|
1985 |
| 16. |
О. А. Мезрин, А. Я. Шик, “Квантовый эффект Холла в полуметаллических тонкопленочных структурах”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2258–2263 |
| 17. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Рекомбинация через глубокие уровни в гетеро-$p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2154–2162 |
| 18. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Теория инжекции носителей в гетеро-$p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 1991–1999 |
| 19. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, Т. В. Львова, С. И. Трошков, “Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных
$p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1589–1596 |
|
1984 |
| 20. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Емкость и распределение электрического поля в резкой асимметричной
$p{-}n$-структуре с инверсионной прослойкой”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2166–2176 |
| 21. |
А. А. Быковников, О. В. Иванова, О. В. Константинов, Т. В. Львова, О. А. Мезрин, “О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1256–1262 |
| 22. |
Т. У. Арсланбеков, О. А. Мезрин, Т. И. Михайлова, В. А. Паздзерский, П. К. Хабибуллаев, “Ускорение электронов, образующихся при фокусировке лазерного излучения в газ”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1123–1128 [T. U. Arslanbekov, O. A. Mezrin, T. I. Mikhaǐlova, V. A. Pazdzerskii, P. Kh. Khabibullaev, “Acceleration of electrons formed by focusing laser radiation in a gas”, Sov J Quantum Electron, 14:6 (1984), 757–760 ] |
|
1983 |
| 23. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “О механизме релаксации электрического поля в МДП структуре на основе фотопроводящего германата висмута”, Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3648–3654 |
| 24. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Теория переходного процесса в структуре
металл–диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1656–1662 |
| 25. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Ю. В. Шмарцев, “Модуляционные методики определения параметров связанных состояний
в квантовом эффекте Холла”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1217–1224 |
| 26. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Изменение заряда в структуре
металл–диэлектрик–полупроводник при изменении магнитного потока
в условиях квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1120–1122 |
| 27. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, А. Я. Шик, “К теории квантового эффекта Холла в структуре
металл–диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1073–1080 |
| 28. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его
эффективную емкость”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 305–311 |
|
Обратная связь: