|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
К. Фогель, Д. Малы, Р. Пухерт, У. Шаде, “Омическое сопротивление металлических контактов с двойными гетероструктурами GalnAsP/lnP как функция состава приконтактного слоя”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2284–2287  [K. Vogel, D. Maly, R. Puchert, U. Schade, “Ohmic resistance of metal contacts with GaInAsP/InP double heterostructures as a function of the composition of the capping layer”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1429–1430  ] |
|
Обратная связь: