|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
1. |
А. Бервольф, П. Эндерс, А. Кнауэр, Д. Линке, У. Цаймер, “Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2273–2275 [A. Baerwolff, P. Ènders, A. Knauer, D. Linke, U. Zeimer, “Calculation of the yield of fault-free laser diodes from the characteristics of the (100)InP substrate material used in epitaxial double heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1422–1424 ] |
|