|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
Д. Ногавица, И. Теминова, Д. Беркова, М. Заградкова, И. Кортан, И. Зелинка, И. Валахова, В. Малина, “Жидкофазное эпитаксиальное выращивание лазерных структур GalnAsP/lnP”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2266–2269  [D. Nohavica, J. Têminová, D. Berková, M. Zagrádková, J. Kortàn, J. Zelinka, J. Walachová, V. Malina, “Liquid phase epitaxial growth of GaInAsP/InP laser structures”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1418–1420  ] |
| 2. |
И. Новотный, О. Прохазкова, Ф. Шробар, И. Зелинка, “Высокоэффективные InGaAsP/lnP-гетероструктуры диапазона 1,3 мкм, полученные «двухфазным» жидкофазным методом”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2262–2265 [J. Novotný, O. Procházková, F. Šrobár, J. Zelinka, “High-performance 1.3-μm InGaAsP/InP heterostructures formed by two-phase liquid epitaxy”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1415–1417 ] |
| 3. |
И. Валахова, И. Зелинка, “Связь положения p-n-перехода с пороговым током полосковых лазеров, работающих в области 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2210–2213 [J. Walachová, J. Zelinka, “Relationship between the p-n junction position and the threshold current of stripe lasers emitting in the 1.3-μm range”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1384–1386 ] |
|
Обратная связь: