|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
В. И. Архипов, Н. Агмон, “Оценка размеров кластера в ассоциированных жидкостях по характерным временным масштабам ориентационной поляризации”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 3, 126–135  |
|
1993 |
| 2. |
В. И. Архипов, Е. В. Емельянова, “Кинетика дифракционной эффективности светоиндуцированных динамических решеток в слоях неупорядоченных полупроводников”, Квантовая электроника, 20:11 (1993), 1133–1136 [V. I. Arkhipov, E. V. Emel'yanova, “Kinetics of the diffraction efficiency of light-induced dynamic gratings in layers of disordered semiconductors”, Quantum Electron., 23:11 (1993), 986–988  ] |
|
1991 |
| 3. |
В. И. Архипов, Е. В. Емельянова, “Отклонение от закона Бугера при распространении светового сигнала
в волокнах из халькогенидных стекол”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991), 2222–2224 |
| 4. |
В. И. Архипов, Е. В. Емельянова, “«Вспышечная» кинетика фотостимулированного оптического
поглощения в стеклообразных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1792–1796 |
|
1990 |
| 5. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, “Стимулированная полем диффузия в некристаллических полупроводниках
в случае переменного поля”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2043–2046 |
| 6. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, “О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации
носителей в неупорядоченных материалах”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 1923–1928 |
| 7. |
В. И. Архипов, Д. В. Храмченков, “Релаксационные процессы в структурах металл$-$аморфный
полупроводник$-$металл”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1618–1623 |
|
1989 |
| 8. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, “Дисперсионный транспорт в материалах с немонотонным энергетическим
распределением локализованных состояний”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 978–984 |
| 9. |
A. M. Андриеш, В. И. Архипов, И. П. Куляк, В. М. Логин, А. И. Руденко, “О механизме фотостимулированного поглощения света в волокнах из халькогенидных стекол”, Квантовая электроника, 16:5 (1989), 1067–1070 [A. M. Andriesh, V. I. Arkhipov, I. P. Kulyak, V. M. Login, A. I. Rudenko, “Mechanism of photostimulated absorption of light in chalcogenide glass fibers”, Sov J Quantum Electron, 19:5 (1989), 693–694 ] |
1
|
|
1988 |
| 10. |
В. И. Архипов, Л. П. Казакова, Э. А. Лебедев, А. И. Руденко, “Пространственное распределение плотности носителей заряда
при дрейфе в стеклообразном As$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 723–727 |
| 11. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, А. И. Руденко, “Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных
материалах”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 544–547 |
| 12. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, “Кинетика близнецовой рекомбинации в аморфных материалах в условиях
поверхностной генерации пар”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 419–423 |
| 13. |
В. И. Архипов, В. М. Логин, А. И. Руденко, А. А. Симашкевич, С. Д. Шутов, “Формирование активационного барьера на контакте металл–аморфный
полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 276–281 |
| 14. |
В. И. Архипов, Б. У. Родионов, А. И. Руденко, “Фотодиффузия носителей в полупроводниковых детекторах”, Письма в ЖТФ, 14:1 (1988), 83–86 |
|
1987 |
| 15. |
В. И. Архипов, А. И. Руденко, Д. В. Храмченков, “Релаксация электретного состояния вещества в режиме дисперсионного
транспорта”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2121–2124 |
| 16. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, А. И. Руденко, “Полевая зависимость низкотемпературной кинетики парной рекомбинации
в аморфных материалах”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1625–1630 |
| 17. |
В. И. Архипов, “Модель многократного захвата с учетом прямых переходов носителей
между локализованными состояниями”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1450–1453 |
| 18. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, А. И. Руденко, “Температурная зависимость кинетики парной рекомбинации в аморфных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1125–1132 |
| 19. |
В. И. Архипов, Л. П. Казакова, Э. А. Лебедев, А. И. Руденко, “Локализованные состояния, контролирующие перенос дырок
в стеклообразном As$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 724–727 |
| 20. |
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, “Частотно-полевая диффузия в аморфных материалах”, Письма в ЖТФ, 13:13 (1987), 790–793 |
|
1986 |
| 21. |
А. Кубилюс, Бр. Петретис, В. И. Архипов, А. И. Руденко, “Исследование глубоких уровней захвата в слоях
$a$-Se”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2183–2187 |
| 22. |
В. И. Архипов, В. М. Логин, А. И. Руденко, “Дисперсионный транспорт в условиях предельного заполнения
локализованных состояний”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1309–1312 |
| 23. |
В. И. Архипов, “Особенности кинетики парной рекомбинации в аморфных материалах”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 556–558 |
|
1985 |
| 24. |
В. И. Архипов, М. С. Иову, А. И. Руденко, С. Д. Шутов, “Кинетика неравновесной рекомбинации в аморфных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 101–105 |
|
1983 |
| 25. |
В. И. Архипов, А. И. Руденко, “Особенности кинетики рекомбинации в аморфных полупроводниках”, ЖТФ, 53:4 (1983), 782–784 |
| 26. |
В. И. Архипов, Ю. А. Попова, А. И. Руденко, “Влияние многократного захвата носителей на переходные фототоки
в аморфных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1817–1822 |
| 27. |
В. И. Архипов, А. И. Руденко, “О скейлинге кривых переходного фототока в аморфных материалах”, Письма в ЖТФ, 9:16 (1983), 971–974 |
|
Обратная связь: