|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1996 |
1. |
Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, “Влияние контактных слоев на тепловые свойства лазерной структуры PbSe/PbSnSeTe”, Квантовая электроника, 23:4 (1996), 318–320 [L. P. Bychkova, O. I. Davarashvili, “Influence of contact layers on the thermal properties of PbSe/PbSnSeTe lasers”, Quantum Electron., 26:4 (1996), 310–312 ] |
|
1993 |
2. |
Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, А. П. Шотов, “О температурной зависимости порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe”, Квантовая электроника, 20:4 (1993), 345–348 [L. P. Bychkova, O. I. Davarashvili, A. P. Shotov, “Temperature dependence of the threshold current of PbSe/PbSnSe DH lasers”, Quantum Electron., 23:4 (1993), 292–295 ] |
|
1992 |
3. |
Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, В. М. Кривцун, Ю. А. Курицын, А. П. Шотов, “Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe”, Квантовая электроника, 19:2 (1992), 128–131 [L. P. Bychkova, O. I. Davarashvili, V. M. Krivtsun, Yu. A. Kuritsyn, A. P. Shotov, “Investigation of the current-voltage characteristics of injection lasers with isoperiodic PbSnSeTe layers”, Sov J Quantum Electron, 22:2 (1992), 111–113 ] |
|
1991 |
4. |
О. И. Даварашвили, Н. В. Лемехов, А. И. Надеждинский, “Исследование перестроечных характеристик лазеров на ДГС PbSe/PbSnSeTe в импульсном режиме работы”, Квантовая электроника, 18:10 (1991), 1170–1172 [O. I. Davarashvili, N. V. Lemekhov, A. I. Nadezhdinskii, “Investigation of tuning characteristics of pulsed PbSe/PbSnSeTe double-heterostructure lasers”, Sov J Quantum Electron, 21:10 (1991), 1059–1061 ] |
|
1990 |
5. |
О. И. Даварашвили, А. В. Кунец, Ю. А. Курицын, Г. Н. Макаров, В. Р. Мироненко, И. Пак, А. П. Шотов, “Измерение ширины линии генерации TEA CO<sub>2</sub>-лазера с помощью перестраиваемых диодных лазеров”, Квантовая электроника, 17:8 (1990), 1077–1080 [O. I. Davarashvili, A. V. Kunets, Yu. A. Kuritsyn, G. N. Makarov, V. R. Mironenko, I. Pak, A. P. Shotov, “Measurement of the emission line width of TEA CO<sub>2</sub> lasers using tunable diode lasers”, Sov J Quantum Electron, 20:8 (1990), 993–995 ] |
1
|
|
1983 |
6. |
О. И. Даварашвили, В. П. Зломанов, И. В. Криалашвили, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев
$\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}_{1-y}\mathrm{Te}_y$”, Докл. АН СССР, 272:6 (1983), 1371–1374 |
|
1982 |
7. |
Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, П. Г. Елисеев, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на
основе Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se”, Квантовая электроника, 9:11 (1982), 2140–2150 [L. P. Bychkova, O. I. Davarashvili, P. G. Eliseev, M. I. Saginuri, R. I. Chikovani, A. P. Shotov, “Analysis of factors influencing the threshold current of Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 12:11 (1982), 1391–1397 ] |
|
1981 |
8. |
Л. П. Бычкова, Г. Г. Гегиадзе, О. И. Даварашвили, В. П. Зломанов, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}$”, Докл. АН СССР, 259:1 (1981), 83–86 |
|
1978 |
9. |
Д. М. Гуреев, О. И. Даварашвили, И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов, “Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se$_{1-y}$Te$_y$ с согласованными решетками на гетерогранице”, Квантовая электроника, 5:12 (1978), 2630–2633 [D. M. Gureev, O. I. Davarashvili, I. I. Zasavitskii, B. N. Matsonashvili, A. P. Shotov, “Optically pumped Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se$_{1-y}$Te$_y$ heterojunction lasers with matched gratings at the interface”, Sov J Quantum Electron, 8:12 (1978), 1481–1483] |
|
1977 |
10. |
О. И. Даварашвили, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, И. И. Засавицкий, А. П. Шотов, “Многокомпонентные твердые растворы соединений A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>”, Квантовая электроника, 4:4 (1977), 904–907 [O. I. Davarashvili, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, I. I. Zasavitskii, A. P. Shotov, “Multicomponent solid solutions of IV-VI compounds”, Sov J Quantum Electron, 7:4 (1977), 508–510] |
2
|
|