|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
В. Г. Плотниченко, В. О. Назарьянц, Е. Б. Крюкова, В. В. Колташев, В. О. Соколов, А. В. Гусев, В. А. Гавва, М. Ф. Чурбанов, Е. М. Дианов, “Показатель преломления монокристаллов моноизотонных <sup>28</sup>Si, <sup>29</sup>Si и <sup>30</sup>Si в ближнем и среднем ИК-диапазоне”, Квантовая электроника, 40:9 (2010), 753–755   [V. G. Plotnichenko, V. O. Nazaryants, E. B. Kryukova, V. V. Koltashev, V. O. Sokolov, A. V. Gusev, V. A. Gavva, M. F. Churbanov, E. M. Dianov, “Near- to mid-IR refractive index of <sup>28</sup>Si, <sup>29</sup>Si and <sup>30</sup>Si monoisotopic single crystals”, Quantum Electron., 40:9 (2010), 753–755   ] |
6
|
| 2. |
Ю. П. Яценко, В. О. Назарьянц, А. Ф. Косолапов, М. С. Астапович, В. Г. Плотниченко, Е. М. Дианов, А. Н. Моисеев, М. Ф. Чурбанов, В. В. Дорофеев, А. В. Чилясов, Г. Е. Снопатин, “Дисперсионные и волноводные характеристики микроструктурированных световодов из температурного стекла 68TeO<sub>2</sub>-22WO<sub>3</sub>-8La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-2Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub> для генерации суперконтинуума”, Квантовая электроника, 40:6 (2010), 513–518 [Yu. P. Yatsenko, V. O. Nazaryants, A. F. Kosolapov, M. S. Astapovich, V. G. Plotnichenko, E. M. Dianov, A. N. Moiseev, M. F. Churbanov, V. V. Dorofeev, A. V. Chilyasov, G. E. Snopatin, “Dispersion and guidance characteristics of microstructured 68TeO<sub>2</sub> — 22WO<sub>3</sub> — 8La<sub>2</sub>O<sub>3</sub> — 2Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub> glass fibres for supercontinuum generation”, Quantum Electron., 40:6 (2010), 513–518 ] |
9
|
|
2006 |
| 3. |
В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко, В. О. Назарьянц, Е. М. Дианов, “Численное моделирование фотонно-кристаллических световодов из теллуритно-вольфраматного стекла для применения в параметрических волоконных устройствах”, Квантовая электроника, 36:1 (2006), 67–72 [V. O. Sokolov, V. G. Plotnichenko, V. O. Nazaryants, E. M. Dianov, “Numerical simulation of photonic-crystal tellurite-tungstate glass fibres used in parametric fibre devices”, Quantum Electron., 36:1 (2006), 67–72 ] |
|
Обратная связь: