|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
С. Г. Гречин, А. В. Зуев, А. Е. Кох, Н. В. Моисеев, П. А. Попов, А. А. Сидоров, А. С. Фокин, “Теплофизические параметры кристалла LBO”, Квантовая электроника, 40:6 (2010), 509–512   [S. G. Grechin, A. V. Zuev, A. E. Kokh, N. V. Moiseev, P. A. Popov, A. A. Sidorov, A. S. Fokin, “Thermophysical parameters of the LBO crystal”, Quantum Electron., 40:6 (2010), 509–512   ] |
18
|
|
1991 |
| 2. |
Н. Н. Сирота, П. А. Попов, А. А. Сидоров, В. И. Кутуков, Н. В. Моисеев, Г. В. Егоров, В. Р. Генрихсон, В. Ф. Клепцин, В. И. Стрелов, “Теплопроводность и термические свойства замещенного гексагаллата стронция
$\mathrm{SrGa}_{11}\mathrm{Mg}_{0{,}5}\mathrm{Zr}_{0{,}5}\mathrm{O}_{19}$ в интервале температур $5$–$300$ К”, Докл. АН СССР, 321:1 (1991), 91–94 |
| 3. |
Н. Н. Сирота, Ж. К. Жалгасбекова, А. А. Сидоров, “Среднеквадратичные смещения ионов и характеристические температуры халькопирита по рентгенографическим данным при $5$5–$300$ К”, Докл. АН СССР, 317:4 (1991), 873–878 |
|
1989 |
| 4. |
Н. Н. Сирота, Ж. К. Жалгасбекова, А. А. Сидоров, “Интенсивность брегговских рефлексов халькопирита в интервале $4$–$300$ К”, Докл. АН СССР, 309:5 (1989), 1104–1107 |
|
1988 |
| 5. |
Н. Н. Сирота, А. А. Сидоров, “Определение температурной зависимости теплоемкости и характеристической температуры $\mathrm{Si}$, $\mathrm{GaP}$, $\mathrm{InAs}$ по интенсивности брегговских рефлексов в области температур $7$–$310$ К”, Докл. АН СССР, 303:5 (1988), 1123–1126 |
|
1987 |
| 6. |
Н. Н. Сирота, А. А. Сидоров, “Рентгенографическое исследование твердых растворов $(\mathrm{InP})_x(\mathrm{InAs})_{1-x}$ в области температур $7$–$310$ K”, Докл. АН СССР, 292:3 (1987), 607–611 |
|
1985 |
| 7. |
Н. Н. Сирота, А. А. Сидоров, “Температурная зависимость параметров решетки и коэффициентов теплового расширения твердых растворов фосфида и арсенида индия в области температур $7$–$310$ К”, Докл. АН СССР, 284:5 (1985), 1111–1115 |
| 8. |
Н. Н. Сирота, А. А. Сидоров, “Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений $\mathrm{GaAs}$, $\mathrm{InAs}$, $\mathrm{InP}$ в области температур $7$–$310$ К”, Докл. АН СССР, 280:2 (1985), 352–356 |
|
1984 |
| 9. |
Н. Н. Сирота, А. М. Антюхов, А. А. Сидоров, “Температурная зависимость коэффициентов теплового расширения фосфидов и арсенидов галлия и индия в области $7$–$310$ К по рентгенографическим данным”, Докл. АН СССР, 277:6 (1984), 1379–1384 |
|
Обратная связь: