|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
| 1. |
В. П. Вейко, В. И. Корольков, А. Г. Полещук, А. Р. Саметов, Е. А. Шахно, М. В. Ярчук, “Исследование пространственного разрешения лазерной термохимической технологии записи дифракционных микроструктур”, Квантовая электроника, 41:7 (2011), 631–636   [V. P. Veiko, V. I. Korol'kov, A. G. Poleshchuk, A. R. Sametov, E. A. Shakhno, M. V. Yarchuk, “Study of the spatial resolution of laser thermochemical technology for recording diffraction microstructures”, Quantum Electron., 41:7 (2011), 631–636   ] |
24
|
|
1992 |
| 2. |
Е. А. Аврутин, В. И. Корольков, Н. Ю. Юрлов, А. В. Рожков, А. М. Султанов, “Динамические характеристики мощных импульсных
GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 719–724 |
| 3. |
В. И. Корольков, А. С. Прохоренко, А. В. Рожков, A. M. Сулатанов, “Исследование стабильности переключения высоковольтных
субнаносекундных фотонно-инжекционных коммутаторов”, Письма в ЖТФ, 18:10 (1992), 26–31 |
|
1991 |
| 4. |
В. И. Корольков, Н. Ю. Орлов, A. B. Рожков, A. M. Султанов, “Динамика излучения суперлюминесцентных светодиодов, выполненных на
основе GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 17:15 (1991), 38–40 |
|
1990 |
| 5. |
X. О. Абдуллаев, В. И. Корольков, М. В. Павловский, Е. В. Руссу, Т. С. Табаров, “Исследования планарных фотосопротивлений на основе
InGaAs/InP со скрытым $p^{+}$-затвором”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 1969–1972 |
| 6. |
Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 361–363 |
|
1989 |
| 7. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, Д. Л. Нугманов, Н. Ю. Орлов, А. В. Рожков, “О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных
тиристоров на основе гетероструктуры”, ЖТФ, 59:2 (1989), 156–158 |
| 8. |
В. И. Аникин, В. И. Корольков, “Экспериментальное наблюдение волноводной дифракции света на поверхностной акустической волне Сезава”, Квантовая электроника, 16:6 (1989), 1260–1263 [V. I. Anikin, V. I. Korol'kov, “Experimental observation of waveguide diffraction of light by Sezawa surface acoustic waves”, Sov J Quantum Electron, 19:6 (1989), 816–818 ] |
1
|
|
1988 |
| 9. |
Ю. А. Акулова, А. А. Яковенко, В. Г. Груздов, Р. А. Гуламов, В. И. Корольков, О. А. Мезрин, “Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах
с тонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1287–1290 |
| 10. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного
тиристора на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 413–418 |
| 11. |
Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Б. В. Пушный, Т. С. Таборов, А. С. Усиков, “Кинетика фототока в арсенидгаллиевых структурах со встроенным
потенциальным барьером”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1565–1570 |
|
1987 |
| 12. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, Г. И. Цвилев, “Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного
арсенида галлия”, ЖТФ, 57:4 (1987), 771–777 |
| 13. |
Ж. И. Алфров, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Электрические и фотоэлектрические свойства
$n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой
в $n^{0}$-области”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 981–983 |
| 14. |
Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, М. Игнатавичус, В. И. Корольков, А. Кроткус, В. Поцюнас, Н. М. Шмидт, “Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов
электрическим полем”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 70–74 |
| 15. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, М. Насруллоева, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, А. Халмирзаев, “Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1270–1274 |
| 16. |
Ж. И. Алфёров, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, М. Н. Степанова, “Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1089–1093 |
|
1986 |
| 17. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо
легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов
и тиристоров”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1897–1900 |
| 18. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных
транзисторах на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 677–682 |
| 19. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Ефанов, Ю. М. Задиранов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной
$Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1281–1285 |
| 20. |
Ж. И. Алфёров, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором”, Письма в ЖТФ, 12:3 (1986), 183–186 |
|
1985 |
| 21. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569 |
| 22. |
М. С. Богданович, Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Исследование вертикальных полевых фототранзисторов
на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1731–1735 |
| 23. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах
GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1605–1611 |
| 24. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, З. П. Добровольскис, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, “Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях
InP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1460–1463 |
| 25. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, В. С. Юферев, “Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе
гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 878–884 |
| 26. |
В. И. Корольков, В. Н. Красавин, С. И. Пономарев, Г. И. Цвилев, “Использование электрооптического эффекта для изучения области
пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 328–331 |
| 27. |
Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо
легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 167–169 |
| 28. |
Л. А. Волков, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga\,As$”, Письма в ЖТФ, 11:13 (1985), 800–803 |
| 29. |
М. С. Богданович, В. И. Корольков, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, “Высокочувствительный вертикальный полевой фототранзистор на основе $Ga\,As$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 89–93 |
|
1984 |
| 30. |
В. И. Корольков, В. И. Литманович, А. В. Рожков, М. Н. Степанова, Т. С. Табаров, “Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом”, ЖТФ, 54:4 (1984), 859–862 |
| 31. |
В. И. Корольков, Р. С. Осипова, С. И. Пономарев, М. Н. Степанова, Г. И. Цвилев, “Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных
$p{-}n$-структур
на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2029–2035 |
| 32. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе
$N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1294–1297 |
| 33. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, “Мощные импульсные транзисторы
на основе арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 976–979 |
| 34. |
В. И. Аникин, С. В. Зайцев, В. И. Корольков, В. М. Шевцов, “Исследование волноводных текстурированных пленок окиси цинка
для планарных акустооптических устройств”, Письма в ЖТФ, 10:15 (1984), 922–925 |
|
1983 |
| 35. |
С. Гайбуллаев, Б. В. Егоров, В. И. Корольков, А. В. Рожков, Е. П. Романова, В. С. Юферев, “Арсенид-галлиевые транзисторы”, ЖТФ, 53:4 (1983), 763–765 |
| 36. |
Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных
эпитаксиальных слоях GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1953–1956 |
| 37. |
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, А. А. Яковенко, “Исследование транзисторов с оптической связью”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1618–1622 |
| 38. |
В. И. Корольков, М. П. Михайлова, “Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых
соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 569–582 |
| 39. |
Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, А. В. Каманин, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Высокоэффективный фотодетектор
для ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 9:24 (1983), 1516–1519 |
| 40. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 652–655 |
|
|
|
2011 |
| 41. |
В. П. Вейко, В. И. Корольков, А. Г. Полещук, А. Р. Саметов, Е. А. Шахно, М. В. Ярчук, “Поправка к статье: Исследование пространственного разрешения лазерной термохимической технологии записи дифракционных микроструктур”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 721 |
|
Обратная связь: