|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
1. |
А. П. Богатов, А. А. Кочетков, В. П. Коняев, “Оценка надежности гетеролазеров при их старении в процессе облучения потоком быстрых частиц”, Квантовая электроника, 41:2 (2011), 99–102 [A. P. Bogatov, A. A. Kochetkov, V. P. Konyaev, “Estimation of the reliability of heterolasers subjected to ageing under irradiation by a fast particle flux”, Quantum Electron., 41:2 (2011), 99–102 ] |
2
|
|
2001 |
2. |
А. А. Кочетков, В. П. Коняев, “Pесурсные возможности одноэлементных гетеролазеров (λ ≈ 0.985 мкм) с мощностью излучения 1 Вт”, Квантовая электроника, 31:5 (2001), 417–418 [A. A. Kochetkov, V. P. Konyaev, “Service life of 1-W, 0.985-μm solitary heterolasers”, Quantum Electron., 31:5 (2001), 417–418 ] |
1
|
|
2000 |
3. |
А. А. Кочетков, “Статистические особенности деградации гетеролазеров при старении и облучении”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 321–322 [A. A. Kochetkov, “Statistical features of degradation of heterojunction lasers during aging and upon irradiation”, Quantum Electron., 30:4 (2000), 321–322 ] |
|
1996 |
4. |
А. А. Кочетков, В. П. Коняев, В. М. Сорокин, С. В. Твердов, “Расчет ресурса мощных гетеролазеров (λ = 0.98 мкм)”, Квантовая электроника, 23:2 (1996), 112 [A. A. Kochetkov, V. P. Konyaev, V. M. Sorokin, S. V. Tverdov, “Calculation of the ligetime of high-power λ = 0.98 μm heterolasers”, Quantum Electron., 26:2 (1996), 108 ] |
1
|
|
1995 |
5. |
А. А. Кочетков, “Прогнозирование параметров распределения времени отказов инжекционных гетеролазеров”, Квантовая электроника, 22:7 (1995), 649–650 [A. A. Kochetkov, “Prediction of the parameters of the distribution of the failure times of injection heterolasers”, Quantum Electron., 25:7 (1995), 621–622 ] |
|
1994 |
6. |
А. А. Кочетков, “Оценка степени устойчивости непрерывных InGaAsP- и GaAlAs-гетеролазеров к деградации при старении и облучении”, Квантовая электроника, 21:5 (1994), 422 [A. A. Kochetkov, “Estimate of the resistance to ageing and irradiation degradation of cw InGaAsP and GaAIAs heterolasers”, Quantum Electron., 24:5 (1994), 389 ] |
|
1993 |
7. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, В. Н. Николаев, “Определение энергии активации процесса деградации InGaAsP- гетеролазеров на λ = 1.55 мкм”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 837–838 [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, V. N. Nikolaev, “Determining the activation energy of the degradation of InGaAsP heterojunction lasers at λ = 1.55 μm”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 725 ] |
8. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, В. Н. Николаев, “Изменение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,55 мкм) при старении и облучении”, Квантовая электроника, 20:1 (1993), 45–46 [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, V. N. Nikolaev, “Changes in the threshold current of an InGaAsP heterojunction laser (λ = 1.55 μm) due to aging and irradiation”, Quantum Electron., 23:1 (1993), 38–39 ] |
|
1991 |
9. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, “Ресурсные исследования мощных непрерывных гетеролазеров”, Квантовая электроника, 18:5 (1991), 585–587 [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, “Investigation of the service life of high-power cw heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 21:5 (1991), 531–533 ] |
10. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, “Увеличение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров в процессе старения при повышенной температуре”, Квантовая электроника, 18:2 (1991), 175–176 [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, “Increase of the threshold current of InGaAsP heterolasers during aging at elevated temperatures”, Sov J Quantum Electron, 21:2 (1991), 155–156 ] |
|
1989 |
11. |
А. А. Кочетков, “Деградация гетеролазеров в зависимости от режима накачки”, Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1595–1598 [A. A. Kochetkov, “Dependence of heterolaser degradation on the pumping conditions”, Sov J Quantum Electron, 19:8 (1989), 1027–1028 ] |
|
1983 |
12. |
П. Г. Елисеев, А. А. Кочетков, “Ускоренная оценка долговечности инжекционных лазеров и передающих модулей”, Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2118–2120 [P. G. Eliseev, A. A. Kochetkov, “Accelerated service life tests on injection lasers and transmitter modules”, Sov J Quantum Electron, 13:10 (1983), 1415–1417 ] |
2
|
|