|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
И. А. Артюков, А. В. Виноградов, Н. Л. Попов, В. Н. Селезнев, “О моделировании задач когерентной оптики скользящего падения”, Квантовая электроника, 42:2 (2012), 140–142   [I. A. Artyukov, A. V. Vinogradov, N. L. Popov, V. N. Seleznev, “Simulation of grazing-incidence coherent imaging”, Quantum Electron., 42:2 (2012), 140–142   ] |
2
|
|
1991 |
| 2. |
Г. Н. Абеляшев, В. В. Мальнев, В. Н. Селезнев, Н. А. Сергеев, Ю. В. Федотов, “Исследование распределения ионов Cr$^{3+}$ в Li$_{0.5}$Fe$_{2.5-x}$Cr$_{x}$O$_{4}$ методом ЯМР”, Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1884–1886 |
|
1989 |
| 3. |
В. Е. Зубов, Г. С. Кринчик, В. Н. Селезнев, М. Б. Стругацкий, “Температурная зависимость поверхностной анизотропии бората железа”, Физика твердого тела, 31:6 (1989), 273–275 |
| 4. |
Г. Л. Курышев, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, А. П. Соловьев, В. А. Терехов, Г. Г. Эльдаров, “Энергетический спектр локализованных состояний аморфных слоев
SiN$_{x}$”, Письма в ЖТФ, 15:1 (1989), 84–86 |
|
1987 |
| 5. |
А. Р. Прокопов, В. Н. Селезнев, М. Б. Стругацкий, С. В. Ягупов, “Наблюдение доменной структуры на небазисных гранях кристаллов
FeBO$_{3}$”, ЖТФ, 57:10 (1987), 2051–2053 |
| 6. |
Н. Г. Басов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, “Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)”, Квантовая электроника, 14:3 (1987), 437–451 [N. G. Basov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. N. Seleznev, “New optoelectronic erasable storage medium (review)”, Sov J Quantum Electron, 17:3 (1987), 273–281 ] |
| 7. |
М. В. Долгов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, И. В. Ербен, В. Шарф, А. Вольф, “Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 190–192 [M. V. Dolgov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. N. Seleznev, J. W. Erben, W. Scharff, A. Wolf, “New reusable optoelectronic storage medium”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 110–112 ] |
|
1986 |
| 8. |
А. И. Агафонов, М. В. Долгов, В. Д. Лохныгин, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, А. А. Фомичев, А. А. Якшин, “Фотолюминесценция аморфного нитрида кремния”, Письма в ЖТФ, 12:1 (1986), 10–13 |
|
1985 |
| 9. |
Ю. М. Федоров, А. И. Панкрац, А. А. Лексиков, В. Н. Селезнев, А. Р. Прокопов, “Фотоиндуцированная одноосная анизотропия в FeBO$_{3}$ : Ni”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 289–291 |
| 10. |
А. И. Агафонов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, “О температурной зависимости энергии активации проводимости
некристаллических полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 156–158 |
|
1984 |
| 11. |
П. П. Коваленко, В. Г. Лабушкин, А. К. Овсепян, Э. Р. Саркисов, Е. В. Смирнов, А. Р. Прокопов, В. Н. Селезнев, “Мёссбауэрографическое определение магнитной структуры кристалла Fe$_{3}$BO$_{6}$”, Физика твердого тела, 26:10 (1984), 3068–3072 |
|
1983 |
| 12. |
А. И. Агафонов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, “Переходные процессы в МНОП структурах и их связь с нестабильностью
электрических характеристик приборов”, ЖТФ, 53:6 (1983), 1089–1095 |
|
1981 |
| 13. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Р. Г. Сагитов, “МДП-элемент памяти с оптическим управлением”, Квантовая электроника, 8:12 (1981), 2707–2710 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, R. G. Sagitov, “Optically controlled metal–insulator–semiconductor memory element”, Sov J Quantum Electron, 11:12 (1981), 1650–1651 ] |
| 14. |
Н. Г. Басов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, “Электронные процессы в структурах маталл – нитрид кремния – двуокись кремния – полупроводник (МНОП)”, УФН, 134:4 (1981), 747–748 ; N. G. Basov, A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, “Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures”, Phys. Usp., 24:8 (1981), 727–728 |
|
1980 |
| 15. |
В. И. Козловский, С. В. Кучаев, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, Р. М. Саввина, В. Н. Селезнев, “Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ”, Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1585–1588 [V. I. Kozlovsky, S. V. Kuchaev, A. S. Nasibov, A. N. Pechenov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, R. M. Savvina, V. N. Seleznev, “Optoelectronic internal memory utilizing a metal–nitride–oxide–semiconductor structure and a laser electron-beam tube”, Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 917–919 ] |
1
|
|
1977 |
| 16. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “О возможности использования МДП-структур на основе гетероструктур GaP–GaAs для оптической обработки информации”, Квантовая электроника, 4:3 (1977), 678–681 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, G. P. Ferchev, “Possible use of metal-insulator-semiconductor structures with GaP–GaAs heterojunctions in optical data processing”, Sov J Quantum Electron, 7:3 (1977), 382–384] |
| 17. |
H. Н. Лошкарева, А. Ф. Плотников, А. Н. Родионов, А. А. Самохвалов, В. Н. Селезнев, “Исследование разрешающей способности пленок EuO при записи голографической информации”, Квантовая электроника, 4:3 (1977), 669–672 [N. N. Loshkareva, A. F. Plotnikov, A. N. Rodionov, A. A. Samokhvalov, V. N. Seleznev, “Investigation of the resolution of EuO as a hologram recording material”, Sov J Quantum Electron, 7:3 (1977), 375–376] |
|
1976 |
| 18. |
H. И. Буланьков, В. Д. Журавов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия”, Квантовая электроника, 3:9 (1976), 2078–2080 [N. I. Bulan'kov, V. D. Zhuravov, A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, G. P. Ferchev, “Optically controlled memory element based on a metalnitride- oxide-semiconductor structure with a gallium arsenide substrate”, Sov J Quantum Electron, 6:9 (1976), 1137–1139] |
| 19. |
А. Ф. Плотников, А. Н. Родионов, А. А. Самохвалов, В. Н. Селезнев, “Голографическая запись информации на пленках EuO”, Квантовая электроника, 3:9 (1976), 2076–2078 [A. F. Plotnikov, A. N. Rodionov, A. A. Samokhvalov, V. N. Seleznev, “Holographic storage of information in EuO films”, Sov J Quantum Electron, 6:9 (1976), 1136–1137] |
|
1975 |
| 20. |
И. В. Коробов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, “Реверсивная запись оптической информации на структурах металл – диэлектрик – полупроводник”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 2013–2018 [I. V. Korobov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. N. Seleznev, “Reversible recording of optical information in metal-dielectric-semiconductor structures”, Sov J Quantum Electron, 5:9 (1975), 1092–1095] |
1
|
| 21. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “Фотоэлектрическое считывание информации, записанной на МНОП-структуре”, Квантовая электроника, 2:3 (1975), 508–512 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, G. P. Ferchev, “Photoelectric reading of information recorded in a MNOS structure”, Sov J Quantum Electron, 5:3 (1975), 288–290] |
|
1974 |
| 22. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, В. Э. Шубин, “Исследование разрешающей способности структур металл – нитрид – окисел – полупроводник при записи и считывании оптической информации”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2291–2293 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, V. È. Shubin, “Investigation of the resolution of metal-nitride-oxide-semiconductor structures in recording and reading of optical information”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1279–1280] |
| 23. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, В. Э. Шубин, Г. П. Ферчев, “Перераспределение напряжения в структуре металл – нитрид кремния – окись кремния – кремний под действием света лазера”, Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1885–1888 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, V. È. Shubin, G. P. Ferchev, “Redistribution of the voltage in a metal-silicon nitride-silicon dioxide-silicon structure under the influence of laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 4:8 (1975), 1054–1055] |
1
|
| 24. |
В. Н. Селезнев, Н. Н. Шуйкин, “Материалы для реверсивной оптической памяти (обзор)”, Квантовая электроника, 1:7 (1974), 1485–1499 [V. N. Seleznev, N. N. Shuikin, “Materials for erasable optical memories (review)”, Sov J Quantum Electron, 4:7 (1975), 819–827] |
1
|
|
|
|
1981 |
| 25. |
В. Н. Селезнев, Е. А. Щербаков, “Международная конференция по интегральной и волноводной оптике (Инклайн Виллидж, Невада, США 28–30 января 1980 г.)”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 234–240 [V. N. Seleznev, E. A. Shcherbakov, “International Conference on Integrated and Guided-Wave Optics (Incline Village, Nevada, January 28–30,1980)”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 143–147 ] |
|
Обратная связь: