|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Захват носителей в структурах
изолятор–полупроводник, полученных МОС
гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 757–759  |
| 2. |
Э. А. Ильичев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, “Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора
Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 594–602 |
|
Обратная связь: