Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Нагорнов Юрий Сергеевич

Публикаций: 56 (56)
в Web of Science: 17 (17)
в Scopus: 12 (12)
Цитированных статей: 15
Цитирований: 55

Статистика просмотров:
Эта страница:4658
Страницы публикаций:289
Полные тексты:250
Списки литературы:93
Нагорнов Юрий Сергеевич
доцент
кандидат физико-математических наук (2001)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
E-mail:
Ключевые слова: Клеточные автоматы, метод Монте-Карло, метод молекулярной динамики, межклеточное взаимодействие, структура мембраны, внутриклеточное давление.
Коды УДК: 51-76

Основные темы научной работы

Моделирование фазовых переходов в нанокристаллах и твердом теле, бетавольтаического эффекта, радиационно-стимулированных процессов в пористом кремнии. Моделирование динамики межклеточного взаимодействия, моделирование свойств мембраны клеток по данным атомно-силовой микроскопии. Моделирование методом молекулярной динамики и методом Монте-Карло.

Гранты под руководством:
2014–2015 — Разработка технологии и программного обеспечения измерения внутриклеточного давления клетки по данным атомно-силовой микроскопии. ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы" http://fcpir.ru/participation_in_program/contracts/14.574.21.0025/
2011–2013 — Молекулярно-динамический инжиниринг нанокристаллов диоксида урана. РФФИ 11-01-00311a
2012 — Разработка on-line сервисов на базе flash-технологии для широкополосных систем на примере виртуальной физической лаборатории. Госконтракт 14.B37.21.2089 от 14.11.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Разработка online симуляторов сканирующих электронного и атомно-силового микроскопов. Госконтракт 14.B37.21.2046 от 14.11.2012г. Министерство образования и науки РФ.
2012 — Разработка основ теории упругости клетки во взаимосвязи с данными атомно-силовой микроскопии. Госконтракт 14.B37.21.0228 от 23.07.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Численные методы моделирования свойств нанокристаллов. Госконтракт 14.B37.21.0222 от 23.07.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Моделирование в области материаловедения и нанотехнологий: когнитивный и исследовательский аспекты. Госконтракт 14.B37.21.0127 от 20.07.2012. Министерство образования и науки РФ

Был выигран грант:
2011 — Разработка информационной системы и базы данных послереакторных исследований ядерного топлива реакторов ВВЭР и РБМК. Госконтракт 07.514.11.4072 от 13.10. 2011

Гранты под ответственным исполнением:
2010–2011 — Разработка, создание и исследование импульсного радиационно-стимулированного источника тока на основе радионуклида никель-63. Госконтракт 625P от 05.05.2010 Министерство образования и науки РФ
2010 — Моделирование и исследование структур радиационно-стимулированных элементов питания, РФФИ 10-08-97001-р_поволжье_а
2010 — Развитие МТБ для проведения исследований по области знаний 08: расширение возможностей лаборатории атомно-силовой микроскопии Ульяновского государственного университета, РФФИ 10-08-05044-б.
2008–2009 — Моделирование, создание и исследование радиационно-стимулированного источника питания, РФФИ 08-08-99068-р_офи

Научная биография:

2016 – University of Tokyo, научный сотрудник, моделирование фазовых переходов методами молекулярной динамики и метадинамики.
2012 – 2016 — Тольяттинский государственный университет научный сотрудник, руководитель лаборатории высокопроизводительных вычислений Компьютерное моделирование, проведение исследований, руководство грантами и проектами.
2007 – 2011 — Ульяновский государственный университет Старший научный сотрудник, руководитель лаборатории атомно-силовой микроскопии, заместитель проректора по инновациям Научная работа, организация исследований и лабораторий.
2002 – 2007 — Ульяновский государственный университет Доцент по кафедрам «Телекоммуникационные технологии и сети» и «Физика и технология интегральных микросхем», заместитель директора института по науке. Курсы лекций по предметам «Квантовая механика», «Физика активных элементов», «Аппаратные средства вычислительной техники», «Основы программирования микропроцессоров», проведение исследований и численного моделирования.
2006 — звание Доцент по кафедре «Физики и технологии интегральных микросхем».
1998 – 2001 — Ульяновский государственный университет Аспирант. Проведение экспериментальных и теоретических исследований свойств пористого кремния, оже-спектроскопия, люминесцентные методы, комбинационная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, численное моделирование радиационных процессов.

   
Основные публикации:
  1. Nagornov Yu.S., Murashev V.N., “Simulation of the $\beta$-voltaic effect in silicon pin structures irradiated with electrons from a nickel-63 $\beta$ source”, Semiconductors, 50:1 (2016), 16–21
  2. Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of a phase transition of silicon nanoparticles at the annealing and carbonization of porous silicon”, Journal of Experimental and Theoretical Physics, 121:6 (2015), 1042–1051
  3. Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of Silicon Carbide Nucleation during the Carbonization of Nanoporous Silicon”, Technical physics. The Russian journal of applied physics, 60:5 (2015), 700–709
  4. Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of Annealing of Nanoporous Silicon”, Technical Physics Letters, 41:6 (2015), 532–536

https://www.mathnet.ru/rus/person79197
https://scholar.google.com/citations?user=lANhRjYAAAAJ&hl=ru
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?spin=1599-2120
https://orcid.org/0000-0002-7935-6776
https://www.webofscience.com/wos/author/record/A-7612-2014
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=6602519955

Список публикаций:
| научные публикации | по годам | по типам | по числу цит. | общий список |


Цитирования (Crossref Cited-By Service + Math-Net.Ru)

Статьи

1. Ю. С. Нагорнов, В. Н. Мурашев, “Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении $\beta$-источником никель-63”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 17–22  mathnet  elib; I. Nagornov, V. N. Murashev, “Simulation of the $\beta$-voltaic effect in silicon pin structures irradiated with electrons from a nickel-63 $\beta$ source”, Semiconductors, 50:1 (2016), 16–21  crossref 4
2. Yu. S. Nagornov, “Thermodynamics of Annealing of Nanoporous Silicon”, Technical Physics Letters, 41:6 (2015), 532–536  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus 4
3. Yu. S. Nagornov, “Thermodynamics of Silicon Carbide Nucleation during the Carbonization of Nanoporous Silicon”, Technical Physics. The Russian journal of applied physics, 60:5 (2015), 700–709  crossref  isi  scopus 5
4. Nagornov Yu., Katz A., “Parametrically Temperature-Dependent Potential for Molecular Dynamics Simulation of Uranium Dioxide Properties”, International Journal of Computational and Theoretical Chemistry, 1:3 (2013), 18–26  crossref 2
5. Nagornov Yu.S., Katz A.V., “Calculation of phase transitions of uranium dioxide using structure factor in molecular dynamics”, International Journal of Materials Science and Applications, 2:6 (2013), 228–232  crossref
6. Нагорнов Ю.С., “Об одном алгоритме оптимизации расчетов методом Монте-Карло при моделировании роста кристаллов”, Стохастическая оптимизация в информатике, 9:2 (2013), 96–107  elib
7. Нагорнов Ю.С., “Метод Монте-Карло, в котором вероятности переходов определяются межатомным потенциалом взаимодействия”, Стохастическая оптимизация в информатике, 9:2 (2013), 88–95  elib
8. Нагорнов Ю.С., Жиляев И.В., “Оптимизация формы эритроцита в соответствии с данными атомно-силовой микроскопии”, Математическая морфология. Электронный математический и медико-биологический журнал, 12:1 (2013)
9. Нагорнов Ю.С., “Моделирование морфологии и жесткости мембраны эритроцитов после фемтосекундного лазерного облучения”, Российский журнал биомеханики, 17:3(61) (2013), 112–121  elib
10. Ю. С. Нагорнов, И. В. Жиляев, “Моделирование морфофункциональных свойств мембраны эритроцита”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2013, № 9/1(110), 177–190  mathnet
11. Ю. С. Нагорнов, “Расчет эффективности элементов питания на основе микроканального кремния и бета-источника никель-63”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2013, № 3, 136–145  mathnet
12. Нагорнов Ю.С, Мельников Б.Ф., Золотов А.В., “Подходу моделирования формирования нанокристаллов в процессе карбонизации пористого кремни я”, Вектор науки Тольяттинского государственного университета, 2012, № 4, 89–93  elib
13. Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Квантово-механическое обоснование температурной зависимости потенциала в методе молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 94–98  elib
14. Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Определение температур фазовых переходов нанокристаллов диоксида урана методом молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 98–100  elib
15. Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Алгоритм расчета поверхностной диффузии методом молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 101–103  elib
16. Боргардт А.А., Нагорнов Ю.С., “Многопоточный алгоритм монте-карло моделирования роста нанокристаллов”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 32–36  elib
17. Нагорнов Ю.С., Махмуд-Ахунов Р.Ю., Костишко Б.М. и др., “О температурной зависимости межатомного потенциала при молекулярно-динамическом моделировании свойств диоксида урана”, Вопросы атомной науки и техники. Серия: Математическое моделирование физических процессов, 2010, № 4, 27–34
18. Нагорнов Ю.С., Махмуд-Ахунов Р.Ю. и др., “Построение температурно-зависимого потенциала межчастичного взаимодействия для диоксида урана”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 3, 156–164  mathnet  elib 1
19. Cтучебников В.М., Устинов А.А., Нагорнов Ю.С., “Исследование температурного дрейфа и нелинейностей тензопреобразователей давления на основе керамики”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки, 2010, № 2, 62–69
20. Костишко Б.М., Золотов А.В., Нагорнов Ю.С., “Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле”, Физика и техника полупроводников, 43:3 (2009)  elib
21. Нагорнов Ю.С., Пчелинцева Е.С., Костишко Б.М. и др., “Mоделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 113–125  mathnet  elib 1
22. Kostishko B.M., Zolotov A.V., Nagornov Yu.S., “Simulation of degradation of the profile of nanoporous silicon in the course of annealing in an inhomogeneous temperature field”, Semiconductors, 43:3 (2009), 355–358  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus 4
23. Нагорнов Ю.С., Гноевых В.В., Портнова Ю.А., “Расчет упругих свойств и морфологии эритроцитов в рамках простой механической модели”, В мире научных открытий, 2008, 24
24. Нагорнов Ю.С., Костишко Б.М., Миков С.Н. и др., “Механизм образования нанокристаллов карбида кремния при высокотемпературной карбонизации пористого кремния”, Журнал технической физики, 77:8 (2007), 135–139  elib
25. Нагорнов Ю.С., Смагин А.А., Шкиряк B.C., Долгов С.В., “Математическая модель синтаксического анализа исходного кода языка С при построении системы встроенного контроля памяти”, Авиакосмическое приборостроение, 2007, № 10, 14–18  elib
26. Nagornov Yu.S., Kostishko B.M., Mikov S.N. et al, “Formation of silicon carbide nanocrystals by high-temperature carbonization of porous silicon”, Technical Physics, 52:8 (2007), 1093–1097  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus 6
27. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Саломатин С.Я., Атажанов Ш.Р., “Интерфейсный механизм фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 30:3 (2004), 7–13
28. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Appolonov S.V., “The modification of the properties of n-type conductivity porous silicon by argon ion irradiation”, Vacuum, 73:1 (2004), 105–108  crossref  adsnasa  isi  scopus 6
29. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Salomatin S.Ya., Atazhanov Sh.R., “The interface mechanism of photoluminescence in carbonized porous silicon”, Technical Physics Letters, 30:2 (2004), 88–90  crossref  adsnasa  isi  scopus 3
30. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Salomatin S.Ya., “The interface model of photoluminescence of carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 3 (2004), 51–57  isi
31. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н., “Особенности фотолюминесценции нанокристаллитов карбида кремния кубической модификации, легированного галлием”, Письма в ЖТФ, 28:17 (2002), 74–81; Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Atazhanov Sh.R., Mikov S.N., “The features of photoluminescence from nanograins of gallium-doped cubic silicon carbide”, Technical Physics Letters, 28:9 (2002), 743–745  crossref  adsnasa  isi  scopus 1
32. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “The kinetics of destruction of molecular complexes adsorbed on a porous silicon surface by electron-beam irradiation at different densities”, Vacuum, 68:3 (2002), 245–249  crossref  adsnasa  isi  scopus
33. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., “Механизм водного дотравливания пористого кремния n-типа проводимости в электрическом поле”, Журнал технической физики, 71:7 (2001), 60–66
34. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., “Механизмы гашения фотолюминесценции пористого кремния электронным облучением различной интенсивности”, Письма в ЖТФ, 27:19 (2001), 58–65
35. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “Water after-etching of n-type porous silicon in an electric field”, Technical Physics, 46:7 (2001), 847–852  crossref  adsnasa  isi  scopus
36. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “The mechanism of photoluminescence quenching in porous silicon by electron irradiation of various intensity”, Technical Physics Letters, 27:10 (2001), 827–829  crossref  adsnasa  isi  scopus 2
37. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “Water after-etching of porous silicon in the presence of electric field”, Physics of low-dimensional structures, 9 (2001), 87–94  isi
38. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П., Саломатин С.Я., Нагорнов Ю.С., “Гетероструктурные эффекты в карбонизированном пористом кремнии”, Письма в ЖТФ, 26:5 (2000), 42–48
39. Костишко Б.М., Пузов И.П., Нагорнов Ю.С., “Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом”, Письма в ЖТФ, 26:1 (2000)
40. Kostishko B.M., Puzov I.P., Nagornov Yu.S, “Stabilization of luminous properties of porous silicon by vacuum annealing at high temperatures”, Technical Physics Letters, 26:1 (2000), 26–28  crossref  adsnasa  isi  scopus 7
41. Kostishko B.M., Atazhanov Sh.R., Shibaev P.V., Nagornov Yu.S., “Role of resonant charge-exchange in photoluminescence of B-doped carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 7 (2000), 47–52  isi
42. Kostishko B.M., Atazhanov Sh.R., Puzov I.P., Solomatin S.Ya., Nagornov Yu.S., “Heterogeneous effect in carbonized porous silicon”, Technical Physics Letters, 26:3 (2000), 199–201  crossref  adsnasa  isi  scopus 2
43. Kostishko B.M., Puzov I.P., Nagornov Yu.S., “Stabilization of Light-Emitting Properties of Porous Silicon Thermal Vacuum Annealing”, Technical Physics Letters, 26:1 (2000), 50–55  crossref  scopus 7
44. Kostishko B.M., Guseva M.B., Khvostov V.V., Babaev V.G., Nagornov Yu.S., “Activation energy of the electron-beam-stimulated quenching of photoluminescence in porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 7 (1999), 9–14  isi
45. Kostishko B.M., Atazhanov Sh.R., Puzov I.P., Salomatin S.Ya., Nagornov Yu.S., “Significance of hetero-junctions in photoluminescence of carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 12 (1999), 1–6  isi
46. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Guseva M.B., Khvostov V.V., Babaev V.G., “Activation energy of the electron-beam-stimulated quenching of photoluminescence in porous silicon”, Physics of Low-Dimensional Structures, 1999:7-8 (1999), 9–14

Книги

47. Нагорнов Ю.С., Моделирование упругих свойств клеток крови, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2013 , 108 с.
48. Нагорнов Ю.С., Костишко Б.М., Пчелинцева Е.С., Радиационно-стимулированные источники тока, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2013 , 116 с.
49. Нагорнов Ю.С., Современные аспеты применения бетавольтаического эффекта, монография, УлГУ, Ульяновск, 2012 , 116 с.
50. Нагорнов Ю.С., Самоорганизация нанокристаллов в карбонизированном пористом кремнии, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2012 , 155 с.
51. Нагорнов Ю.С., Методы моделирования атомарных и радиационно-стимулированных процессов в пористом кремнии, монография, ТГУ, Тольятти, 2012 , 175 с.
52. Нагорнов Ю.С., Демонстрационные задачи по школьному курсу физики для учащихся 10-11 классов, учебное пособие, ТГУ, Тольятти, 2012 , 70 с.
53. Нагорнов Ю.С., 101 вопрос о нанотехнологиях, учебное пособие, ТГУ, Тольятти, 2012 , 110 с.
54. Разумовская И.В., Булярский С.В., Светухин В.В., Шаронова Н.В., Золотовский И.О., Нагорнов Ю.С. и др., Введение в нанотехнологии., Учебно-методическое пособие по программе элективного курса по физике для учителей 10-11 классов средней общеобразовательной школы, УлГУ, Ульяновск, 2008 , 147 с.
55. Нагорнов Ю.С., Аппаратные средства вычислительной техники, электронный учебный курс, УлГУ, Ульяновск, 2007
56. Нагорнов Ю.С., Новиков С.Г., Павлов Д.Н, Русанова А.Е., Аппаратные средства вычислительной техники, методическое пособие. Извещение о государственной регистрации N 50200601, УлГУ, Ульяновск, 2006

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024