Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Нагорнов Юрий Сергеевич

Публикаций: 56 (56)
в Web of Science: 17 (17)
в Scopus: 12 (12)
Цитированных статей: 15
Цитирований: 55

Статистика просмотров:
Эта страница:4658
Страницы публикаций:289
Полные тексты:250
Списки литературы:93
Нагорнов Юрий Сергеевич
доцент
кандидат физико-математических наук (2001)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
E-mail:
Ключевые слова: Клеточные автоматы, метод Монте-Карло, метод молекулярной динамики, межклеточное взаимодействие, структура мембраны, внутриклеточное давление.
Коды УДК: 51-76

Основные темы научной работы

Моделирование фазовых переходов в нанокристаллах и твердом теле, бетавольтаического эффекта, радиационно-стимулированных процессов в пористом кремнии. Моделирование динамики межклеточного взаимодействия, моделирование свойств мембраны клеток по данным атомно-силовой микроскопии. Моделирование методом молекулярной динамики и методом Монте-Карло.

Гранты под руководством:
2014–2015 — Разработка технологии и программного обеспечения измерения внутриклеточного давления клетки по данным атомно-силовой микроскопии. ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы" http://fcpir.ru/participation_in_program/contracts/14.574.21.0025/
2011–2013 — Молекулярно-динамический инжиниринг нанокристаллов диоксида урана. РФФИ 11-01-00311a
2012 — Разработка on-line сервисов на базе flash-технологии для широкополосных систем на примере виртуальной физической лаборатории. Госконтракт 14.B37.21.2089 от 14.11.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Разработка online симуляторов сканирующих электронного и атомно-силового микроскопов. Госконтракт 14.B37.21.2046 от 14.11.2012г. Министерство образования и науки РФ.
2012 — Разработка основ теории упругости клетки во взаимосвязи с данными атомно-силовой микроскопии. Госконтракт 14.B37.21.0228 от 23.07.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Численные методы моделирования свойств нанокристаллов. Госконтракт 14.B37.21.0222 от 23.07.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Моделирование в области материаловедения и нанотехнологий: когнитивный и исследовательский аспекты. Госконтракт 14.B37.21.0127 от 20.07.2012. Министерство образования и науки РФ

Был выигран грант:
2011 — Разработка информационной системы и базы данных послереакторных исследований ядерного топлива реакторов ВВЭР и РБМК. Госконтракт 07.514.11.4072 от 13.10. 2011

Гранты под ответственным исполнением:
2010–2011 — Разработка, создание и исследование импульсного радиационно-стимулированного источника тока на основе радионуклида никель-63. Госконтракт 625P от 05.05.2010 Министерство образования и науки РФ
2010 — Моделирование и исследование структур радиационно-стимулированных элементов питания, РФФИ 10-08-97001-р_поволжье_а
2010 — Развитие МТБ для проведения исследований по области знаний 08: расширение возможностей лаборатории атомно-силовой микроскопии Ульяновского государственного университета, РФФИ 10-08-05044-б.
2008–2009 — Моделирование, создание и исследование радиационно-стимулированного источника питания, РФФИ 08-08-99068-р_офи

Научная биография:

2016 – University of Tokyo, научный сотрудник, моделирование фазовых переходов методами молекулярной динамики и метадинамики.
2012 – 2016 — Тольяттинский государственный университет научный сотрудник, руководитель лаборатории высокопроизводительных вычислений Компьютерное моделирование, проведение исследований, руководство грантами и проектами.
2007 – 2011 — Ульяновский государственный университет Старший научный сотрудник, руководитель лаборатории атомно-силовой микроскопии, заместитель проректора по инновациям Научная работа, организация исследований и лабораторий.
2002 – 2007 — Ульяновский государственный университет Доцент по кафедрам «Телекоммуникационные технологии и сети» и «Физика и технология интегральных микросхем», заместитель директора института по науке. Курсы лекций по предметам «Квантовая механика», «Физика активных элементов», «Аппаратные средства вычислительной техники», «Основы программирования микропроцессоров», проведение исследований и численного моделирования.
2006 — звание Доцент по кафедре «Физики и технологии интегральных микросхем».
1998 – 2001 — Ульяновский государственный университет Аспирант. Проведение экспериментальных и теоретических исследований свойств пористого кремния, оже-спектроскопия, люминесцентные методы, комбинационная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, численное моделирование радиационных процессов.

   
Основные публикации:
  1. Nagornov Yu.S., Murashev V.N., “Simulation of the $\beta$-voltaic effect in silicon pin structures irradiated with electrons from a nickel-63 $\beta$ source”, Semiconductors, 50:1 (2016), 16–21
  2. Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of a phase transition of silicon nanoparticles at the annealing and carbonization of porous silicon”, Journal of Experimental and Theoretical Physics, 121:6 (2015), 1042–1051
  3. Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of Silicon Carbide Nucleation during the Carbonization of Nanoporous Silicon”, Technical physics. The Russian journal of applied physics, 60:5 (2015), 700–709
  4. Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of Annealing of Nanoporous Silicon”, Technical Physics Letters, 41:6 (2015), 532–536

https://www.mathnet.ru/rus/person79197
https://scholar.google.com/citations?user=lANhRjYAAAAJ&hl=ru
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?spin=1599-2120
https://orcid.org/0000-0002-7935-6776
https://www.webofscience.com/wos/author/record/A-7612-2014
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=6602519955

Список публикаций:
| научные публикации | по годам | по типам | по числу цит. | общий список |


Цитирования (Crossref Cited-By Service + Math-Net.Ru)
1. Kostishko B.M., Puzov I.P., Nagornov Yu.S, “Stabilization of luminous properties of porous silicon by vacuum annealing at high temperatures”, Technical Physics Letters, 26:1 (2000), 26–28  crossref  adsnasa  isi  scopus 7
2. Kostishko B.M., Puzov I.P., Nagornov Yu.S., “Stabilization of Light-Emitting Properties of Porous Silicon Thermal Vacuum Annealing”, Technical Physics Letters, 26:1 (2000), 50–55  crossref  scopus 7
3. Nagornov Yu.S., Kostishko B.M., Mikov S.N. et al, “Formation of silicon carbide nanocrystals by high-temperature carbonization of porous silicon”, Technical Physics, 52:8 (2007), 1093–1097  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus 6
4. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Appolonov S.V., “The modification of the properties of n-type conductivity porous silicon by argon ion irradiation”, Vacuum, 73:1 (2004), 105–108  crossref  adsnasa  isi  scopus 6
5. Yu. S. Nagornov, “Thermodynamics of Silicon Carbide Nucleation during the Carbonization of Nanoporous Silicon”, Technical Physics. The Russian journal of applied physics, 60:5 (2015), 700–709  crossref  isi  scopus 5
6. Ю. С. Нагорнов, В. Н. Мурашев, “Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении $\beta$-источником никель-63”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 17–22  mathnet  elib; I. Nagornov, V. N. Murashev, “Simulation of the $\beta$-voltaic effect in silicon pin structures irradiated with electrons from a nickel-63 $\beta$ source”, Semiconductors, 50:1 (2016), 16–21  crossref 4
7. Yu. S. Nagornov, “Thermodynamics of Annealing of Nanoporous Silicon”, Technical Physics Letters, 41:6 (2015), 532–536  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus 4
8. Kostishko B.M., Zolotov A.V., Nagornov Yu.S., “Simulation of degradation of the profile of nanoporous silicon in the course of annealing in an inhomogeneous temperature field”, Semiconductors, 43:3 (2009), 355–358  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus 4
9. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Salomatin S.Ya., Atazhanov Sh.R., “The interface mechanism of photoluminescence in carbonized porous silicon”, Technical Physics Letters, 30:2 (2004), 88–90  crossref  adsnasa  isi  scopus 3
10. Nagornov Yu., Katz A., “Parametrically Temperature-Dependent Potential for Molecular Dynamics Simulation of Uranium Dioxide Properties”, International Journal of Computational and Theoretical Chemistry, 1:3 (2013), 18–26  crossref 2
11. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “The mechanism of photoluminescence quenching in porous silicon by electron irradiation of various intensity”, Technical Physics Letters, 27:10 (2001), 827–829  crossref  adsnasa  isi  scopus 2
12. Kostishko B.M., Atazhanov Sh.R., Puzov I.P., Solomatin S.Ya., Nagornov Yu.S., “Heterogeneous effect in carbonized porous silicon”, Technical Physics Letters, 26:3 (2000), 199–201  crossref  adsnasa  isi  scopus 2
13. Нагорнов Ю.С., Махмуд-Ахунов Р.Ю. и др., “Построение температурно-зависимого потенциала межчастичного взаимодействия для диоксида урана”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 3, 156–164  mathnet  elib 1
14. Нагорнов Ю.С., Пчелинцева Е.С., Костишко Б.М. и др., “Mоделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 113–125  mathnet  elib 1
15. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н., “Особенности фотолюминесценции нанокристаллитов карбида кремния кубической модификации, легированного галлием”, Письма в ЖТФ, 28:17 (2002), 74–81; Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Atazhanov Sh.R., Mikov S.N., “The features of photoluminescence from nanograins of gallium-doped cubic silicon carbide”, Technical Physics Letters, 28:9 (2002), 743–745  crossref  adsnasa  isi  scopus 1
16. Нагорнов Ю.С., Моделирование упругих свойств клеток крови, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2013 , 108 с.
17. Нагорнов Ю.С., Костишко Б.М., Пчелинцева Е.С., Радиационно-стимулированные источники тока, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2013 , 116 с.
18. Nagornov Yu.S., Katz A.V., “Calculation of phase transitions of uranium dioxide using structure factor in molecular dynamics”, International Journal of Materials Science and Applications, 2:6 (2013), 228–232  crossref
19. Нагорнов Ю.С., “Об одном алгоритме оптимизации расчетов методом Монте-Карло при моделировании роста кристаллов”, Стохастическая оптимизация в информатике, 9:2 (2013), 96–107  elib
20. Нагорнов Ю.С., “Метод Монте-Карло, в котором вероятности переходов определяются межатомным потенциалом взаимодействия”, Стохастическая оптимизация в информатике, 9:2 (2013), 88–95  elib
21. Нагорнов Ю.С., Жиляев И.В., “Оптимизация формы эритроцита в соответствии с данными атомно-силовой микроскопии”, Математическая морфология. Электронный математический и медико-биологический журнал, 12:1 (2013)
22. Нагорнов Ю.С., “Моделирование морфологии и жесткости мембраны эритроцитов после фемтосекундного лазерного облучения”, Российский журнал биомеханики, 17:3(61) (2013), 112–121  elib
23. Ю. С. Нагорнов, И. В. Жиляев, “Моделирование морфофункциональных свойств мембраны эритроцита”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2013, № 9/1(110), 177–190  mathnet
24. Нагорнов Ю.С, Мельников Б.Ф., Золотов А.В., “Подходу моделирования формирования нанокристаллов в процессе карбонизации пористого кремни я”, Вектор науки Тольяттинского государственного университета, 2012, № 4, 89–93  elib
25. Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Квантово-механическое обоснование температурной зависимости потенциала в методе молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 94–98  elib
26. Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Определение температур фазовых переходов нанокристаллов диоксида урана методом молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 98–100  elib
27. Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Алгоритм расчета поверхностной диффузии методом молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 101–103  elib
28. Боргардт А.А., Нагорнов Ю.С., “Многопоточный алгоритм монте-карло моделирования роста нанокристаллов”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 32–36  elib
29. Нагорнов Ю.С., Современные аспеты применения бетавольтаического эффекта, монография, УлГУ, Ульяновск, 2012 , 116 с.
30. Нагорнов Ю.С., Самоорганизация нанокристаллов в карбонизированном пористом кремнии, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2012 , 155 с.
31. Нагорнов Ю.С., Методы моделирования атомарных и радиационно-стимулированных процессов в пористом кремнии, монография, ТГУ, Тольятти, 2012 , 175 с.
32. Нагорнов Ю.С., Демонстрационные задачи по школьному курсу физики для учащихся 10-11 классов, учебное пособие, ТГУ, Тольятти, 2012 , 70 с.
33. Нагорнов Ю.С., 101 вопрос о нанотехнологиях, учебное пособие, ТГУ, Тольятти, 2012 , 110 с.
34. Нагорнов Ю.С., Махмуд-Ахунов Р.Ю., Костишко Б.М. и др., “О температурной зависимости межатомного потенциала при молекулярно-динамическом моделировании свойств диоксида урана”, Вопросы атомной науки и техники. Серия: Математическое моделирование физических процессов, 2010, № 4, 27–34
35. Cтучебников В.М., Устинов А.А., Нагорнов Ю.С., “Исследование температурного дрейфа и нелинейностей тензопреобразователей давления на основе керамики”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки, 2010, № 2, 62–69
36. Костишко Б.М., Золотов А.В., Нагорнов Ю.С., “Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле”, Физика и техника полупроводников, 43:3 (2009)  elib
37. Нагорнов Ю.С., Гноевых В.В., Портнова Ю.А., “Расчет упругих свойств и морфологии эритроцитов в рамках простой механической модели”, В мире научных открытий, 2008, 24
38. Разумовская И.В., Булярский С.В., Светухин В.В., Шаронова Н.В., Золотовский И.О., Нагорнов Ю.С. и др., Введение в нанотехнологии., Учебно-методическое пособие по программе элективного курса по физике для учителей 10-11 классов средней общеобразовательной школы, УлГУ, Ульяновск, 2008 , 147 с.
39. Нагорнов Ю.С., Костишко Б.М., Миков С.Н. и др., “Механизм образования нанокристаллов карбида кремния при высокотемпературной карбонизации пористого кремния”, Журнал технической физики, 77:8 (2007), 135–139  elib
40. Нагорнов Ю.С., Смагин А.А., Шкиряк B.C., Долгов С.В., “Математическая модель синтаксического анализа исходного кода языка С при построении системы встроенного контроля памяти”, Авиакосмическое приборостроение, 2007, № 10, 14–18  elib
41. Нагорнов Ю.С., Аппаратные средства вычислительной техники, электронный учебный курс, УлГУ, Ульяновск, 2007
42. Нагорнов Ю.С., Новиков С.Г., Павлов Д.Н, Русанова А.Е., Аппаратные средства вычислительной техники, методическое пособие. Извещение о государственной регистрации N 50200601, УлГУ, Ульяновск, 2006
43. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Саломатин С.Я., Атажанов Ш.Р., “Интерфейсный механизм фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 30:3 (2004), 7–13
44. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Salomatin S.Ya., “The interface model of photoluminescence of carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 3 (2004), 51–57  isi
45. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “The kinetics of destruction of molecular complexes adsorbed on a porous silicon surface by electron-beam irradiation at different densities”, Vacuum, 68:3 (2002), 245–249  crossref  adsnasa  isi  scopus
46. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., “Механизм водного дотравливания пористого кремния n-типа проводимости в электрическом поле”, Журнал технической физики, 71:7 (2001), 60–66
47. Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., “Механизмы гашения фотолюминесценции пористого кремния электронным облучением различной интенсивности”, Письма в ЖТФ, 27:19 (2001), 58–65
48. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “Water after-etching of n-type porous silicon in an electric field”, Technical Physics, 46:7 (2001), 847–852  crossref  adsnasa  isi  scopus
49. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “Water after-etching of porous silicon in the presence of electric field”, Physics of low-dimensional structures, 9 (2001), 87–94  isi
50. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П., Саломатин С.Я., Нагорнов Ю.С., “Гетероструктурные эффекты в карбонизированном пористом кремнии”, Письма в ЖТФ, 26:5 (2000), 42–48
51. Костишко Б.М., Пузов И.П., Нагорнов Ю.С., “Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом”, Письма в ЖТФ, 26:1 (2000)
52. Kostishko B.M., Atazhanov Sh.R., Shibaev P.V., Nagornov Yu.S., “Role of resonant charge-exchange in photoluminescence of B-doped carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 7 (2000), 47–52  isi
53. Kostishko B.M., Guseva M.B., Khvostov V.V., Babaev V.G., Nagornov Yu.S., “Activation energy of the electron-beam-stimulated quenching of photoluminescence in porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 7 (1999), 9–14  isi
54. Kostishko B.M., Atazhanov Sh.R., Puzov I.P., Salomatin S.Ya., Nagornov Yu.S., “Significance of hetero-junctions in photoluminescence of carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 12 (1999), 1–6  isi
55. Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Guseva M.B., Khvostov V.V., Babaev V.G., “Activation energy of the electron-beam-stimulated quenching of photoluminescence in porous silicon”, Physics of Low-Dimensional Structures, 1999:7-8 (1999), 9–14
56. Ю. С. Нагорнов, “Расчет эффективности элементов питания на основе микроканального кремния и бета-источника никель-63”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2013, № 3, 136–145  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024