Клеточные автоматы,
метод Монте-Карло,
метод молекулярной динамики,
межклеточное взаимодействие,
структура мембраны,
внутриклеточное давление.
Коды УДК:
51-76
Основные темы научной работы
Моделирование фазовых переходов в нанокристаллах и твердом теле, бетавольтаического эффекта, радиационно-стимулированных процессов в пористом кремнии.
Моделирование динамики межклеточного взаимодействия, моделирование свойств мембраны клеток по данным атомно-силовой микроскопии. Моделирование методом молекулярной динамики и методом Монте-Карло.
Гранты под руководством:
2014–2015 — Разработка технологии и программного обеспечения измерения внутриклеточного давления клетки по данным атомно-силовой микроскопии. ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы" http://fcpir.ru/participation_in_program/contracts/14.574.21.0025/
2011–2013 — Молекулярно-динамический инжиниринг нанокристаллов диоксида урана. РФФИ 11-01-00311a
2012 — Разработка on-line сервисов на базе flash-технологии для широкополосных систем на примере виртуальной физической лаборатории. Госконтракт 14.B37.21.2089 от 14.11.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Разработка online симуляторов сканирующих электронного и атомно-силового микроскопов. Госконтракт 14.B37.21.2046 от 14.11.2012г. Министерство образования и науки РФ.
2012 — Разработка основ теории упругости клетки во взаимосвязи с данными атомно-силовой микроскопии. Госконтракт 14.B37.21.0228 от 23.07.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Численные методы моделирования свойств нанокристаллов. Госконтракт 14.B37.21.0222 от 23.07.2012. Министерство образования и науки РФ
2012 — Моделирование в области материаловедения и нанотехнологий: когнитивный и исследовательский аспекты. Госконтракт 14.B37.21.0127 от 20.07.2012. Министерство образования и науки РФ
Был выигран грант:
2011 — Разработка информационной системы и базы данных послереакторных исследований ядерного топлива реакторов ВВЭР и РБМК. Госконтракт 07.514.11.4072 от 13.10. 2011
Гранты под ответственным исполнением:
2010–2011 — Разработка, создание и исследование импульсного радиационно-стимулированного источника тока на основе радионуклида никель-63. Госконтракт 625P от 05.05.2010 Министерство образования и науки РФ
2010 — Моделирование и исследование структур радиационно-стимулированных элементов питания, РФФИ 10-08-97001-р_поволжье_а
2010 — Развитие МТБ для проведения исследований по области знаний 08: расширение возможностей лаборатории атомно-силовой микроскопии Ульяновского государственного университета, РФФИ 10-08-05044-б.
2008–2009 — Моделирование, создание и исследование радиационно-стимулированного источника питания, РФФИ 08-08-99068-р_офи
Научная биография:
2016 – University of Tokyo, научный сотрудник, моделирование фазовых переходов методами молекулярной динамики и метадинамики.
2012 – 2016 — Тольяттинский государственный университет
научный сотрудник, руководитель лаборатории высокопроизводительных вычислений
Компьютерное моделирование, проведение исследований, руководство грантами и проектами.
2007 – 2011 — Ульяновский государственный университет
Старший научный сотрудник, руководитель лаборатории атомно-силовой микроскопии, заместитель проректора по инновациям
Научная работа, организация исследований и лабораторий.
2002 – 2007 — Ульяновский государственный университет
Доцент по кафедрам «Телекоммуникационные технологии и сети» и «Физика и технология интегральных микросхем», заместитель директора института по науке.
Курсы лекций по предметам «Квантовая механика», «Физика активных элементов», «Аппаратные средства вычислительной техники», «Основы программирования микропроцессоров», проведение исследований и численного моделирования.
2006 — звание Доцент по кафедре «Физики и технологии интегральных микросхем».
1998 – 2001 — Ульяновский государственный университет
Аспирант.
Проведение экспериментальных и теоретических исследований свойств пористого кремния, оже-спектроскопия, люминесцентные методы, комбинационная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, численное моделирование радиационных процессов.
Основные публикации:
Nagornov Yu.S., Murashev V.N., “Simulation of the $\beta$-voltaic effect in silicon pin structures irradiated with electrons from a nickel-63 $\beta$ source”, Semiconductors, 50:1 (2016), 16–21
Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of a phase transition of silicon nanoparticles at the annealing and carbonization of porous silicon”, Journal of Experimental and Theoretical Physics, 121:6 (2015), 1042–1051
Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of Silicon Carbide Nucleation during the Carbonization of Nanoporous Silicon”, Technical physics. The Russian journal of applied physics, 60:5 (2015), 700–709
Nagornov Yu.S., “Thermodynamics of Annealing of Nanoporous Silicon”, Technical Physics Letters, 41:6 (2015), 532–536
Ю. С. Нагорнов, В. Н. Мурашев, “Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении $\beta$-источником никель-63”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 17–22; I. Nagornov, V. N. Murashev, “Simulation of the $\beta$-voltaic effect in silicon pin structures irradiated with electrons from a nickel-63 $\beta$ source”, Semiconductors, 50:1 (2016), 16–21
Yu. S. Nagornov, “Thermodynamics of Silicon Carbide Nucleation during the Carbonization of Nanoporous Silicon”, Technical Physics. The Russian journal of applied physics, 60:5 (2015), 700–709
Nagornov Yu., Katz A., “Parametrically Temperature-Dependent Potential for Molecular Dynamics Simulation of Uranium Dioxide Properties”, International Journal of Computational and Theoretical Chemistry, 1:3 (2013), 18–26
Нагорнов Ю.С., Моделирование упругих свойств клеток крови, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2013 , 108 с.
6.
Нагорнов Ю.С., Костишко Б.М., Пчелинцева Е.С., Радиационно-стимулированные источники тока, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2013 , 116 с.
7.
Nagornov Yu.S., Katz A.V., “Calculation of phase transitions of uranium dioxide using structure factor in molecular dynamics”, International Journal of Materials Science and Applications, 2:6 (2013), 228–232
8.
Нагорнов Ю.С., “Об одном алгоритме оптимизации расчетов методом Монте-Карло при моделировании роста кристаллов”, Стохастическая оптимизация в информатике, 9:2 (2013), 96–107
9.
Нагорнов Ю.С., “Метод Монте-Карло, в котором вероятности переходов определяются межатомным потенциалом взаимодействия”, Стохастическая оптимизация в информатике, 9:2 (2013), 88–95
10.
Нагорнов Ю.С., Жиляев И.В., “Оптимизация формы эритроцита в соответствии с данными атомно-силовой микроскопии”, Математическая морфология. Электронный математический и медико-биологический журнал, 12:1 (2013)
11.
Нагорнов Ю.С., “Моделирование морфологии и жесткости мембраны эритроцитов после фемтосекундного лазерного облучения”, Российский журнал биомеханики, 17:3(61) (2013), 112–121
12.
Ю. С. Нагорнов, И. В. Жиляев, “Моделирование морфофункциональных свойств мембраны эритроцита”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2013, № 9/1(110), 177–190
13.
Ю. С. Нагорнов, “Расчет эффективности элементов питания на основе микроканального кремния и бета-источника никель-63”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2013, № 3, 136–145
2012
14.
Нагорнов Ю.С, Мельников Б.Ф., Золотов А.В., “Подходу моделирования формирования нанокристаллов в процессе карбонизации пористого кремни я”, Вектор науки Тольяттинского государственного университета, 2012, № 4, 89–93
15.
Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Квантово-механическое обоснование температурной зависимости потенциала в методе молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 94–98
Нагорнов Ю.С., Кац А.В., “Алгоритм расчета поверхностной диффузии методом молекулярной динамики”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 101–103
18.
Боргардт А.А., Нагорнов Ю.С., “Многопоточный алгоритм монте-карло моделирования роста нанокристаллов”, Вектор науки ТГУ, 2012, № 4, 32–36
19.
Нагорнов Ю.С., Современные аспеты применения бетавольтаического эффекта, монография, УлГУ, Ульяновск, 2012 , 116 с.
20.
Нагорнов Ю.С., Самоорганизация нанокристаллов в карбонизированном пористом кремнии, монография, LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken, 2012 , 155 с.
21.
Нагорнов Ю.С., Методы моделирования атомарных и радиационно-стимулированных процессов в пористом кремнии, монография, ТГУ, Тольятти, 2012 , 175 с.
22.
Нагорнов Ю.С., Демонстрационные задачи по школьному курсу физики для учащихся 10-11 классов, учебное пособие, ТГУ, Тольятти, 2012 , 70 с.
23.
Нагорнов Ю.С., 101 вопрос о нанотехнологиях, учебное пособие, ТГУ, Тольятти, 2012 , 110 с.
2010
24.
Нагорнов Ю.С., Махмуд-Ахунов Р.Ю., Костишко Б.М. и др., “О температурной зависимости межатомного потенциала при молекулярно-динамическом моделировании свойств диоксида урана”, Вопросы атомной науки и техники. Серия: Математическое моделирование физических процессов, 2010, № 4, 27–34
25.
Нагорнов Ю.С., Махмуд-Ахунов Р.Ю. и др., “Построение температурно-зависимого потенциала межчастичного взаимодействия для диоксида урана”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 3, 156–164
Cтучебников В.М., Устинов А.А., Нагорнов Ю.С., “Исследование температурного дрейфа и нелинейностей тензопреобразователей давления на основе керамики”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки, 2010, № 2, 62–69
2009
27.
Костишко Б.М., Золотов А.В., Нагорнов Ю.С., “Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле”, Физика и техника полупроводников, 43:3 (2009)
28.
Нагорнов Ю.С., Пчелинцева Е.С., Костишко Б.М. и др., “Mоделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 113–125
Kostishko B.M., Zolotov A.V., Nagornov Yu.S., “Simulation of degradation of the profile of nanoporous silicon in the course of annealing in an inhomogeneous temperature field”, Semiconductors, 43:3 (2009), 355–358
Нагорнов Ю.С., Гноевых В.В., Портнова Ю.А., “Расчет упругих свойств и морфологии эритроцитов в рамках простой механической модели”, В мире научных открытий, 2008, 24
31.
Разумовская И.В., Булярский С.В., Светухин В.В., Шаронова Н.В., Золотовский И.О., Нагорнов Ю.С. и др., Введение в нанотехнологии., Учебно-методическое пособие по программе элективного курса по физике для учителей 10-11 классов средней общеобразовательной школы, УлГУ, Ульяновск, 2008 , 147 с.
2007
32.
Нагорнов Ю.С., Костишко Б.М., Миков С.Н. и др., “Механизм образования нанокристаллов карбида кремния при высокотемпературной карбонизации пористого кремния”, Журнал технической физики, 77:8 (2007), 135–139
33.
Нагорнов Ю.С., Смагин А.А., Шкиряк B.C., Долгов С.В., “Математическая модель синтаксического анализа исходного кода языка С при построении системы встроенного контроля памяти”, Авиакосмическое приборостроение, 2007, № 10, 14–18
34.
Nagornov Yu.S., Kostishko B.M., Mikov S.N. et al, “Formation of silicon carbide nanocrystals by high-temperature carbonization of porous silicon”, Technical Physics, 52:8 (2007), 1093–1097
Нагорнов Ю.С., Новиков С.Г., Павлов Д.Н, Русанова А.Е., Аппаратные средства вычислительной техники, методическое пособие. Извещение о государственной регистрации N 50200601, УлГУ, Ульяновск, 2006
2004
37.
Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Саломатин С.Я., Атажанов Ш.Р., “Интерфейсный механизм фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 30:3 (2004), 7–13
38.
Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Appolonov S.V., “The modification of the properties of n-type conductivity porous silicon by argon ion irradiation”, Vacuum, 73:1 (2004), 105–108
Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Salomatin S.Ya., “The interface model of photoluminescence of carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 3 (2004), 51–57
2002
41.
Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н., “Особенности фотолюминесценции нанокристаллитов карбида кремния кубической модификации, легированного галлием”, Письма в ЖТФ, 28:17 (2002), 74–81; Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Atazhanov Sh.R., Mikov S.N., “The features of photoluminescence from nanograins of gallium-doped cubic silicon carbide”, Technical Physics Letters, 28:9 (2002), 743–745
1
42.
Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “The kinetics of destruction of molecular complexes adsorbed on a porous silicon surface by electron-beam irradiation at different densities”, Vacuum, 68:3 (2002), 245–249
2001
43.
Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., “Механизм водного дотравливания пористого кремния n-типа проводимости в электрическом поле”, Журнал технической физики, 71:7 (2001), 60–66
44.
Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., “Механизмы гашения фотолюминесценции пористого кремния электронным облучением различной интенсивности”, Письма в ЖТФ, 27:19 (2001), 58–65
45.
Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “Water after-etching of n-type porous silicon in an electric field”, Technical Physics, 46:7 (2001), 847–852
46.
Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “The mechanism of photoluminescence quenching in porous silicon by electron irradiation of various intensity”, Technical Physics Letters, 27:10 (2001), 827–829
Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., “Water after-etching of porous silicon in the presence of electric field”, Physics of low-dimensional structures, 9 (2001), 87–94
2000
48.
Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П., Саломатин С.Я., Нагорнов Ю.С., “Гетероструктурные эффекты в карбонизированном пористом кремнии”, Письма в ЖТФ, 26:5 (2000), 42–48
49.
Костишко Б.М., Пузов И.П., Нагорнов Ю.С., “Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом”, Письма в ЖТФ, 26:1 (2000)
50.
Kostishko B.M., Puzov I.P., Nagornov Yu.S, “Stabilization of luminous properties of porous silicon by vacuum annealing at high temperatures”, Technical Physics Letters, 26:1 (2000), 26–28
Kostishko B.M., Guseva M.B., Khvostov V.V., Babaev V.G., Nagornov Yu.S., “Activation energy of the electron-beam-stimulated quenching of photoluminescence in porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 7 (1999), 9–14
55.
Kostishko B.M., Atazhanov Sh.R., Puzov I.P., Salomatin S.Ya., Nagornov Yu.S., “Significance of hetero-junctions in photoluminescence of carbonized porous silicon”, Physics of low-dimensional structures, 12 (1999), 1–6
56.
Kostishko B.M., Nagornov Yu.S., Guseva M.B., Khvostov V.V., Babaev V.G., “Activation energy of the electron-beam-stimulated quenching of photoluminescence in porous silicon”, Physics of Low-Dimensional Structures, 1999:7-8 (1999), 9–14
2016
Обратная связь: