|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2004 |
| 1. |
А. В. Родионов, А. С. Чиркин, “Перепутанные фотонные состояния при последовательных нелинейно-оптических взаимодействиях”, Письма в ЖЭТФ, 79:6 (2004), 311–314  ; A. V. Rodionov, A. S. Chirkin, “Entangled photon states in consecutive nonlinear optical interactions”, JETP Letters, 79:6 (2004), 253–256  |
45
|
|
1991 |
| 2. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко, “Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе
$\delta$-легированных структур”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1870–1876 |
|
1989 |
| 3. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, А. В. Родионов, Ю. Н. Свешников, “Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия,
содержащем изовалентную примесь индия”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 626–629 |
|
1986 |
| 4. |
С. М. Афанасьев, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, Б. В. Стрижков, “Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1565–1571 |
| 5. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Захват носителей в структурах
изолятор–полупроводник, полученных МОС
гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 757–759 |
|
1984 |
| 6. |
Ю. М. Липницкий, С. Н. Минин, А. В. Родионов, “О влиянии колебательной релаксации
на параметры сверхзвуковых струй
газа, истекающих в вакуум”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1301–1304  |
| 7. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Полевой транзистор с изолированным затвором”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 420–422 |
|
Обратная связь: