Научная биография: |
Покровский, Ярослав Евгеньевич.
Влияние поверхностных уровней на электрические свойства тонких плёнок германия, кремния и теллура : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00. - Москва, 1953. - 138 с. : ил.
Покровский, Ярослав Евгеньевич.
Исследование неравновесных электронных процессов в кремнии : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.00.00. - Москва, 1966. - 268 с. : ил. |
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2004 |
1. |
Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский, “Резонансные состояния примеси галлия в одноосно сжатом германии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 381–384 ; Ya. E. Pokrovskii, N. A. Khval'kovskii, “Resonance states of gallium impurity in uniaxially compressed germanium”, JETP Letters, 80:5 (2004), 335–338 |
2
|
2. |
Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский, “Примесные пары и релаксация возбуждения в легированном кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 79:12 (2004), 787–794 ; Ya. E. Pokrovskii, N. A. Khval'kovskii, “Impurity pairs and excitation relaxation in doped silicon”, JETP Letters, 79:12 (2004), 650–656 |
2
|
|
1990 |
3. |
И. В. Алтухов, Я. Е. Покровский, О. И. Смирнова, В. П. Синис, “Бесконтактный СВЧ метод исследования кинетики примесной
фотопроводимости в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1134–1136 |
4. |
Я. Е. Покровский, “Контроль распределения примесей III и V групп в кремнии
по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1006–1009 |
|
1986 |
5. |
А. Б. Лопатин, Я. Е. Покровский, “Исследование неупорядоченности в сплавах германий–кремний методом спектроскопии связанных экситонов”, Физика твердого тела, 28:8 (1986), 2373–2378 |
|
1983 |
6. |
А. С. Каминский, В. А. Карасюк, Я. Е. Покровский, “Многочастичные экситон-примесные комплексы в полупроводниках”, УФН, 141:4 (1983), 713–714 ; A. S. Kaminskii, V. A. Karasyuk, Ya. E. Pokrovskii, “Multiparticle exciton-impurity complexes in semiconductors”, Phys. Usp., 26:12 (1983), 1110–1111 |
1
|
|