Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Покровский Ярослав Евгеньевич
(1928–2014)

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 6
Научных статей: 6

Статистика просмотров:
Эта страница:127
Страницы публикаций:465
Полные тексты:162
Списки литературы:67
член-корреспондент АН СССР
доктор физико-математических наук (1966)
Дата рождения: 15.01.1928
Сайт: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/41311

Научная биография:

Покровский, Ярослав Евгеньевич. Влияние поверхностных уровней на электрические свойства тонких плёнок германия, кремния и теллура : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00. - Москва, 1953. - 138 с. : ил.

Покровский, Ярослав Евгеньевич. Исследование неравновесных электронных процессов в кремнии : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.00.00. - Москва, 1966. - 268 с. : ил.

   
Основные публикации:
  • Взаимодействие электронов и дырок / Я. Е. Покровский. - Москва : Знание, 1985. - 64 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person71025
https://ru.wikipedia.org/wiki/Покровский,_Ярослав_Евгеньевич
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=367

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2004
1. Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский, “Резонансные состояния примеси галлия в одноосно сжатом германии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  381–384  mathnet; Ya. E. Pokrovskii, N. A. Khval'kovskii, “Resonance states of gallium impurity in uniaxially compressed germanium”, JETP Letters, 80:5 (2004), 335–338  scopus 2
2. Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский, “Примесные пары и релаксация возбуждения в легированном кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 79:12 (2004),  787–794  mathnet; Ya. E. Pokrovskii, N. A. Khval'kovskii, “Impurity pairs and excitation relaxation in doped silicon”, JETP Letters, 79:12 (2004), 650–656  scopus 2
1990
3. И. В. Алтухов, Я. Е. Покровский, О. И. Смирнова, В. П. Синис, “Бесконтактный СВЧ метод исследования кинетики примесной фотопроводимости в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1134–1136  mathnet
4. Я. Е. Покровский, “Контроль распределения примесей III и V групп в кремнии по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1006–1009  mathnet
1986
5. А. Б. Лопатин, Я. Е. Покровский, “Исследование неупорядоченности в сплавах германий–кремний методом спектроскопии связанных экситонов”, Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2373–2378  mathnet  isi
1983
6. А. С. Каминский, В. А. Карасюк, Я. Е. Покровский, “Многочастичные экситон-примесные комплексы в полупроводниках”, УФН, 141:4 (1983),  713–714  mathnet; A. S. Kaminskii, V. A. Karasyuk, Ya. E. Pokrovskii, “Multiparticle exciton-impurity complexes in semiconductors”, Phys. Usp., 26:12 (1983), 1110–1111 1

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024