|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
К. В. Феклистов, А. Г. Черков, В. П. Попов, Л. И. Федина, “Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1589–1596   ; K. V. Feklistov, A. G. Cherkov, V. P. Popov, L. I. Fedina, “Redistribution of erbium and oxygen recoil atoms and the structure of silicon thin surface layers formed by high-dose argon implantation through Er and SiO$_{2}$ surface films”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1696–1703 |
|
2017 |
| 2. |
И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, “Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO$_{2}$ в условиях ионного синтеза под высоким давлением”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1414–1419 ; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, “Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ films under conditions of ion synthesis at high pressure”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1364–1369 |
| 3. |
И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, В. А. Володин, M. Voelskow, “Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1289–1294 ; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, V. A. Volodin, M. Voelskow, “Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ thin films”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1240–1246 |
1
|
|
2011 |
| 4. |
V. A. Volodin, A. S. Kacko, A. G. Cherkov, A. V. Latyshev, J. Koch, B. N. Chichkov, “Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 665–668   ; JETP Letters, 93:10 (2011), 603–606 |
12
|
|
Обратная связь: