|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
R. Kh. Rakhimov, M. S. Saidov, “Development of ceramic coatings and application of their infrared radiation”, Comp. nanotechnol., 2016, № 4, 6–9   |
2
|
| 2. |
Р. Х. Рахимов, М. С. Саидов, В. П. Ермаков, “Особенности синтеза функциональной керамики с комплексом заданных свойств радиационным методом. Часть 5. Механизм генерации импульсов функциональной керамикой”, Comp. nanotechnol., 2016, № 2, 81–93 |
8
|
|
1989 |
| 3. |
И. Г. Атабаев, Н. Т. Баграев, В. А. Машков, М. С. Саидов, У. Сирожов, А. Юсупов, “Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией
в твердых растворах Si$-$Ge”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 525–531 |
|
1987 |
| 4. |
И. Г. Атабаев, М. С. Саидов, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, А. Юсупов, “О механизме дефектообразования в сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 570–573 |
|
1986 |
| 5. |
А. Г. Забродский, В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, Е. С. Юрова, В. В. Федоров, М. С. Саидов, А. Юсупов, И. Г. Атабаев, “Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge
в области составов со стороны кремния
II. Гальваномагнитные свойства и неоднородности”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2052–2060 |
| 6. |
А. Г. Забродский, В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, Е. С. Юрова, В. В. Федоров, М. С. Саидов, А. Юсупов, И. Г. Атабаев, “Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава
Si$-$Ge в области составов со стороны кремния
I. Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2042–2051 |
| 7. |
И. Г. Атабаев, Н. Т. Баграев, В. А. Машков, М. С. Саидов, А. Юсупов, “Реакции центров золота при оптической накачке твердых растворов
кремний–германий”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 745–747 |
|
1984 |
| 8. |
М. С. Саидов, Х. А. Шамуратов, А. Умурзаков, Р. К. Джапарова, “Влияние кристаллографической полярности граней карбида кремния на
характеристики сплавных диодов”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1476–1478 |
| 9. |
А. Г. Забродский, В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, М. С. Саидов, А. Юсупов, И. Г. Атабаев, “Нейтронное легирование сплава Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в области составов
со стороны кремния”, Письма в ЖТФ, 10:8 (1984), 495–498  |
|
1983 |
| 10. |
К. Абдримов, Л. П. Пасечник, А. С. Саидов, М. С. Саидов, К. Ф. Штельмах, “О состоянии центров никеля в GaP”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2205–2208 |
| 11. |
М. С. Саидов, К. Абдримов, А. С. Саидов, В. Г. Макаренко, “О механизме фотопроводимости фосфида галлия, компенсированного
никелем”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 529–530 |
|
1971 |
| 12. |
М. С. Саидов, “К вопросу о совместном распределении примесей в полупроводниках”, УФН, 105:4 (1971), 752–753 ; M. S. Saidov, “Joint impurity distributions in semiconductors”, Phys. Usp., 14:6 (1972), 792 |
2
|
|
Обратная связь: