|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
В. Д. Ахметов, В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов, “Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния
при облучении электронами”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 72–76 |
|
1988 |
2. |
В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов, “ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора
с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 210–214 |
|
1987 |
3. |
И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа,
легированного магнием”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 684–687 |
4. |
Л. И. Федина, А. Л. Асеев, С. Г. Денисенко, Л. С. Смирнов, “Пороговая энергия образования точечных дефектов в кремнии
по данным электронной микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 592–597 |
|
1986 |
5. |
А. В. Цвященко, Р. А. Алиханов, Л. С. Смирнов, В. И. Бузин, В. Е. Махоткин, В. А. Фрадков, “Исследование магнитных свойств интерметаллического соединения YbFe$_{2}$ методом дифракции нейтронов”, Физика твердого тела, 28:9 (1986), 2832–2834 |
6. |
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Л. С. Смирнов, “Смена системы энергетических уровней в запрещенной зоне как фактор,
контролирующий скорость реакций между заряженными дефектами
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1132–1134 |
7. |
А. В. Васильев, Л. С. Смирнов, С. C. Шаймеев, “Об уровнях дивакансии в запрещенной зоне кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 737–739 |
8. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 561–564 |
|
1985 |
9. |
А. В. Васильев, М. И. Изтелеуов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “О параметрах разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2073–2074 |
10. |
Н. Н. Герасименко, Б. А. Зайцев, Л. Н. Сафронов, Л. С. Смирнов, “Центры излучательной рекомбинации в кремнии, облученном ионами
бериллия”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1245–1250 |
11. |
И. Б. Хайбуллин, Л. С. Смирнов, “Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные
вопросы”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 569–591 |
|
1984 |
12. |
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Количественные оценки параметров образования основных радиационных
дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2177–2181 |
|
1983 |
13. |
А. Л. Асеев, В. М. Ивахнишин, В. Ф. Стась, Л. С. Смирнов, “Дефекты структуры в германии при облучении ионами гелия и водорода”, Физика твердого тела, 25:10 (1983), 3097–3103 |
14. |
А. И. Ашин, Л. С. Смирнов, В. Ф. Стась, “Исследование радиационных дефектов в германии методом емкостной
спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1535–1537 |
15. |
В. Ф. Стась, А. И. Ашин, Л. С. Смирнов, “Эффекты радиационно-ускоренной диффузии в германии, облученном ионами
гелия”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 859–862 |
16. |
А. И. Ашин, Л. С. Смирнов, В. Ф. Стась, “Энергетичекий спектр дефектов в кремнии, облученном ионами водорода
и гелия”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 551–553 |
|
1957 |
17. |
В. С. Вавилов, Л. С. Смирнов, В. М. Пацкевич, “Энергия ионизации электронами в кристаллах германия”, Докл. АН СССР, 112:6 (1957), 1020–1022 |
|
|
|
2000 |
18. |
Н. Г. Басов, В. Л. Гинзбург, А. А. Гиппиус, В. С. Днепровский, Л. В. Келдыш, Ю. В. Копаев, В. В. Краснопевцев, О. Н. Крохин, В. П. Силин, Л. С. Смирнов, Е. Л. Фейнберг, А. П. Шотов, “Памяти Виктора Сергеевича Вавилова”, УФН, 170:2 (2000), 203–204 ; N. G. Basov, V. L. Ginzburg, A. A. Gippius, V. S. Dneprovskii, L. V. Keldysh, Yu. V. Kopaev, V. V. Krasnopevtsev, O. N. Krokhin, V. P. Silin, L. S. Smirnov, E. L. Feinberg, A. P. Shotov, “In memory of Viktor Sergeevich Vavilov”, Phys. Usp., 43:2 (2000), 193–194 |
1
|
|