|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
1. |
E. A. Evropeytsev, A. N. Semenov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, V. Kh. Kaibyshev, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 515 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 622–624 |
|
2016 |
2. |
Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 57–63 ; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 |
9
|
|
2006 |
3. |
В. В. Травников, В. Х. Кайбышев, “Линейная поляризация излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe, индуцированная анизотропным профилем интерфейсов”, Письма в ЖЭТФ, 83:7 (2006), 346–350 ; V. V. Travnikov, V. Kh. Kaibyshev, “Linear polarization of radiation from ZnCdSe/ZnSe quantum wells induced by the anisotropic profile of interfaces”, JETP Letters, 83:7 (2006), 288–292 |
2
|
|