|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
В. И. Пунегов, Н. Н. Фалеев, “Когерентное и диффузное рассеяния рентгеновских лучей на многокомпонентной сверхрешетке с квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 92:7 (2010), 483–489  ; V. I. Punegov, N. N. Faleev, “Coherent and diffuse X-ray scattering from a multicomponent superlattice with quantum dots”, JETP Letters, 92:7 (2010), 437–443   |
11
|
|
1992 |
| 2. |
Т. Ф. Мазец, Э. А. Сморгонская, В. К. Тихомиров, Н. Н. Фалеев, “Сверхструктура в оптически анизотропном стекле
As$_{2}$S$_{3}\langle$In$\rangle$”, Письма в ЖТФ, 18:22 (1992), 39–44 |
| 3. |
В. Г. Антипов, Р. В. Каллион, Р. Н. Кютт, С. А. Никишин, С. С. Рувимов, Д. В. Синявский, В. А. Соловьев, Л. М. Сорокин, Н. Н. Фалеев, М. П. Щеглов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия однодоменного арсенида галлия на (001)
кремнии, пассивированном водородом”, Письма в ЖТФ, 18:2 (1992), 1–5 |
|
1991 |
| 4. |
Д. А. Винокуров, В. М. Лантратов, М. А. Синицын, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, О. М. Федорова, Я. Л. Шайович, Б. С. Явич, “Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs,
выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС
гидридном процессе”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1022–1029 |
| 5. |
С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Г. де ла Круз, А. Ю. Островский, Ю. В. Погорельский, И. Ю. Русанович, И. А. Соколов, Н. Н. Фалеев, Г. А. Фокин, М. И. Этинберг, “Исследование кристаллического качества твердых растворов
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе
эпитаксиального роста из молекулярных пучков”, Письма в ЖТФ, 17:7 (1991), 42–44 |
| 6. |
В. М. Андреев, А. М. Минтаиров, А. К. Намазов, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, А. Ю. Якимов, “AlGaAs/GaAs гетероструктуры, полученные методом ЖФЭ на кремнии”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 1–3 |
|
1990 |
| 7. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. Б. Смирницкий, Н. Н. Фалеев, “Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной
гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 60:3 (1990), 123–128 |
| 8. |
В. И. Васильев, Н. Д. Ильинская, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. А. Мишурный, В. В. Сазонов, В. В. Смирницкий, Н. Н. Фалеев, “Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb”, Письма в ЖТФ, 16:2 (1990), 58–62 |
|
1988 |
| 9. |
И. Н. Арсентьев, Н. А. Берт, А. В. Васильев, Д. З. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, А. В. Кочергин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Многослойные периодические структуры в системе
Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 14:7 (1988), 593–597 |
| 10. |
Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные
AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями
толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 171–176 |
|
1987 |
| 11. |
С. Г. Конников, О. В. Коваленков, К. Ю. Погребицкий, М. А. Синицын, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, Б. С. Явич, “Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров
периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1745–1749 |
| 12. |
К. Ю. Кижаев, С. Г. Конников, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 132–136 |
|
1986 |
| 13. |
И. Н. Арсентьев., Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, А. Е. Свелокузов, Н. Н. Фалеев, А. В. Чудинов, “Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев
${\leqslant20}$ Å”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2206–2211 |
| 14. |
В. М. Андреев, О. О. Ивентьева, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, Э. Пурон, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, “Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 533–537 |
|
1984 |
| 15. |
В. А. Елюхин, С. Г. Конников, М. И. Неменов, Л. П. Сорокина, Н. Н. Фалеев, “Кристаллизация гетероструктур из переохлажденных
растворов–расплавов”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2077–2079 |
|
Обратная связь: