Полупроводниковое материаловедение и приборостроение.

1. Г. Бокучава, Г. Мургулия, В. Кашия, “Исследование влияния реакторного облучения на термоэлектрические свойства сильнолегированного $n$- и $p$- Si0,7Ge0,3”, Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ), 3 (2005), 68–72
2. Ш. Дарсавелидзе, Г. В. Бокучава, Б. М. Широков и др., “Физико-механические характеристики монокристаллического кремния”, Труды XVII Международной конференции по физике радиационных явлений и радиационному материаловедению (Украина, 4–9 сентября 2006 г.), 263–264
3. G. Bokuchava, I. Kurashvili, E. Sanaia, G. Darsavelidze, “Physico-Mechanical Properties of Si0.85Ge0.15:GaP Alloy”, Bulletin of Georgian National Academy of Sciences, 175:2 (2007), 53–56
4. G. Darsavelidze, I. Kurashvili, G. Bokuchava, “Amplitude Dependence of Internal Friction and Shear Modulus of Tin-Doped Monocrystaline Silicon”, Bulletin of Georgian National Academy of Sciences, 3:2 (2009), 100–102

• Сухумский физико-технический институт им. И. Векуа