|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
Н. Л. Дмитрук, В. Р. Романюк, М. И. Таборская, С. Чарнович, С. Кокиньеси, Н. В. Юркович, “Взаимодействие поверхностных плазмонов и интерференционных
мод в тонкопленочных наноструктурах”, Письма в ЖЭТФ, 99:3 (2014), 146–149   ; N. L. Dmitruk, V. R. Romanyuk, M. I. Taborskaya, S. Charnovych, S. Kokenyesi, N. V. Yurkovich, “Interaction of surface plasmons with interference modes in thin-film nanostructures”, JETP Letters, 99:3 (2014), 129–132   |
1
|
|
2009 |
| 2. |
N. L. Dmitruk, A. V. Korovin, “Physical nature of anomalous optical transmission of thin absorptive corrugated films”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 75–79 ; JETP Letters, 89:2 (2009), 68–72 |
13
|
|
1992 |
| 3. |
Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, О. Н. Мишук, “Аномальный фотоэмиссионный ток в контакте металл$-$полупроводник с микрорельефной поверхностью”, Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2647–2654 |
| 4. |
Ю. Бреза, О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, А. А. Наумовец, Б. А. Нестеренко, Ю. А. Тхорик, М. Ю. Филатов, “Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных
структурах Pt$-$GaAs”, ЖТФ, 62:8 (1992), 88–94 |
| 5. |
Я. В. Бобицкий, А. И. Берча, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк, Н. А. Фидря, “Исследование лазерного геттерирования в GaAs
методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1688–1692 |
| 6. |
Е. Ф. Венгер, А. В. Гончаренко, Н. Л. Дмитрук, А. Ю. Прокофьев, Н. А. Фидря, “Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси на оптические
свойства $n^{+}$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 352–357 |
| 7. |
Н. Л. Дмитрук, Е. Ф. Венгер, А. В. Гончаренко, М. Ю. Пелюсова, “Низкотемпературный отжиг пластин GaAs, имплантированных ионами O$^{+}$”, Письма в ЖТФ, 18:20 (1992), 41–45 |
|
1991 |
| 8. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, О. Н. Мищук, “Фоточувствительность барьеров Шоттки Au$-$GaAs с микрорельефной
поверхностью (область собственного поглощения света)”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 487–492 |
| 9. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, О. Н. Мищук, “Влияние микрорельефа поверхности
на эффект радиационно-стимулированного упорядочения”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 18–21 |
|
1990 |
| 10. |
Н. Л. Дмитрук, Ю. В. Крюченко, В. Г. Литовченко, “Поверхностные плазменные поляритоны в среде с пространственно-неоднородным переходным слоем”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 2857–2861 |
| 11. |
В. Ю. Быковский, В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, С. В. Свечников, “Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной
области арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 287–291 |
| 12. |
Ю. Ю. Бачериков, Е. Ф. Венгер, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк, Д. И. Лубышев, В. П. Мигаль, О. В. Снитко, Н. А. Фидря, “Спектроскопия $\delta$-легированных слоев GaAs : Si”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 27–31 |
|
1989 |
| 13. |
О. Ю. Борковская, Т. Я. Горбач, Н. Л. Дмитрук, О. Н. Мищук, “Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики
контакта металл$-$полупроводник с барьером Шоттки.
Фотоэмиссионные характеристики”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2113–2117 |
| 14. |
В. Ю. Быковский, В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, “Изучение локальных центров в $p$-GaAs, легированном медью, методами
нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 729–732 |
| 15. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, О. Н. Мищук, “К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 207–212 |
|
1987 |
| 16. |
В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, “Радиационная перестройка глубоких центров в барьерных структурах
арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 156–159 |
|
1986 |
| 17. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, О. И. Маева, “Влияние $\gamma$-радиации на поверхностную генерацию-рекомбинацию
в полупроводниковых структурах на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1640–1646 |
| 18. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, “Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 326–329 |
| 19. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, М. Дубовински, Р. В. Конакова, Д. В. Корбутяк, Е. Г. Лашкевич, Ю. А. Тхорик, Я. Червенак, “Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию
в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 322–325 |
|
1985 |
| 20. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, С. А. Груша, А. М. Евстигнеев, Н. А. Клебанова, А. Н. Красико, К. А. Исмаилов, И. К. Синищук, М. Е. Лисогорский, “Структурно-примесное упорядочение под действием малых доз проникающей
радиации”, ЖТФ, 55:10 (1985), 1977–1982 |
|
1984 |
| 21. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, “Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах
($p$-Si)$-$($n$-GaP)”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1808–1811 |
| 22. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, Н. Н. Солдатенко, Ю. А. Тхорик, “К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов
Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 402–407 |
|
1983 |
| 23. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, Н. Н. Солдатенко, Ю. А. Тхорик, М. Ю. Филатов, В. И. Шаховцов, “Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов
в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1349–1351 |
|
Обратная связь: