Научная биография: |
МГУ им. М.В. Ломоносова, НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, Отдел микроэлектроники, с.н.с., 1993 - 2015
Зорин, Александр Борисович.
Теоретическое изучение свойств джозефсоновских переходов с малой емкостью : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.03. - Москва, 1980. - 116 с. : ил.
Зорин, Александр Борисович.
Когерентные явления в туннельных джозефсоновских переходах с малой емкостью и квантовые устройства на их основе : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Москва, 2005. - 160 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
В. О. Залунин, В. А. Крупенин, С. А. Васенко, А. Б. Зорин, “Моделирование одноэлектронных транспортных процессов в тонких гранулированных хромовых пленках”, Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010), 436–441  ; V. O. Zalunin, V. A. Krupenin, S. A. Vasenko, A. B. Zorin, “Simulation of single-electron transport processes in thin granulated chromium films”, JETP Letters, 91:8 (2010), 402–406   |
4
|
|
2005 |
| 2. |
V. A. Krupenin, D. E. Presnov, V. O. Zalunin, S. A. Vasenko, A. B. Zorin, “Strongly asymmetric single-electron transistor operating as zero-biased electrometer”, Письма в ЖЭТФ, 82:2 (2005), 82–85 ; JETP Letters, 82:2 (2005), 77–80 |
1
|
|
2001 |
| 3. |
V. A. Krupenin, A. B. Zorin, D. E. Presnov, M. N. Savvateev, J. Niemeyer, “Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers”, УФН, 171:приложение к № 10 (2001), 113–116 ; Phys. Usp., 44:10 suppl. (2001), s113–s116 |
2
|
|
1998 |
| 4. |
В. А. Крупенин, С. В. Лотхов, Х. Шерер, А. Б. Зорин, Ф. Й. Алерс, Й. Нимайер, Х. Вольф, “Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов”, УФН, 168:2 (1998), 219–222 ; V. A. Krupenin, S. V. Lotkhov, H. Scherer, A. B. Zorin, F.-J. Ahlers, J. Niemeyer, H. Wolf, “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors”, Phys. Usp., 41:2 (1998), 204–206 |
|
Обратная связь: