|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
И. В. Божьев, В. А. Крупенин, Д. Е. Преснов, И. И. Циняйкин, А. А. Дорофеев, А. С. Трифонов, “Особенности измерения поверхностного распределения электрического потенциала локальным зондом на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом”, ЖТФ, 90:5 (2020), 868–874   ; I. V. Bozh'ev, V. A. Krupenin, D. E. Presnov, I. I. Tsiniaikin, A. A. Dorofeev, A. S. Trifonov, “Detection of the electric potential surface distribution with a local probe based on a field effect transistor with a nanowire channel”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 832–838 |
|
2018 |
| 2. |
Д. Е. Преснов, С. Г. Кафанов, А. А. Дорофеев, И. В. Божьев, А. С. Трифонов, Ю. А. Пашкин, В. А. Крупенин, “Механический резонанс в кремниевом нанопроводе с высокой добротностью”, Письма в ЖЭТФ, 108:7 (2018), 522–528 ; D. E. Presnov, S. G. Kafanov, A. A. Dorofeev, I. V. Bozhev, A. S. Trifonov, Yu. A. Pashkin, V. A. Krupenin, “High quality factor mechanical resonance in a silicon nanowire”, JETP Letters, 108:7 (2018), 492–497   |
9
|
|
2010 |
| 3. |
В. О. Залунин, В. А. Крупенин, С. А. Васенко, А. Б. Зорин, “Моделирование одноэлектронных транспортных процессов в тонких гранулированных хромовых пленках”, Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010), 436–441 ; V. O. Zalunin, V. A. Krupenin, S. A. Vasenko, A. B. Zorin, “Simulation of single-electron transport processes in thin granulated chromium films”, JETP Letters, 91:8 (2010), 402–406 |
4
|
|
2005 |
| 4. |
V. A. Krupenin, D. E. Presnov, V. O. Zalunin, S. A. Vasenko, A. B. Zorin, “Strongly asymmetric single-electron transistor operating as zero-biased electrometer”, Письма в ЖЭТФ, 82:2 (2005), 82–85 ; JETP Letters, 82:2 (2005), 77–80 |
1
|
|
2001 |
| 5. |
V. A. Krupenin, A. B. Zorin, D. E. Presnov, M. N. Savvateev, J. Niemeyer, “Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers”, УФН, 171:приложение к № 10 (2001), 113–116 ; Phys. Usp., 44:10 suppl. (2001), s113–s116 |
2
|
|
1998 |
| 6. |
В. А. Крупенин, С. В. Лотхов, Х. Шерер, А. Б. Зорин, Ф. Й. Алерс, Й. Нимайер, Х. Вольф, “Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов”, УФН, 168:2 (1998), 219–222 ; V. A. Krupenin, S. V. Lotkhov, H. Scherer, A. B. Zorin, F.-J. Ahlers, J. Niemeyer, H. Wolf, “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors”, Phys. Usp., 41:2 (1998), 204–206 |
|
1997 |
| 7. |
В. А. Крупенин, С. В. Лотхов, Ю. А. Пашкин, Д. Е. Преснов, “Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах”, УФН, 167:5 (1997), 566–568 ; V. A. Krupenin, S. V. Lotkhov, Yu. A. Pashkin, D. E. Presnov, “An experimental study of charge effects in ultrasmall tunnel junctions”, Phys. Usp., 40:5 (1997), 542–544 |
2
|
|
1996 |
| 8. |
Д. Е. Преснов, В. А. Крупенин, С. В. Лотхов, “Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlO<sub>x</sub>/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты”, УФН, 166:8 (1996), 906–907 ; D. E. Presnov, V. A. Krupenin, S. V. Lotkhov, “Single-electron structures of supersmall Al/AlO<sub>x</sub>/Al tunnelling junctions: manufacturing techniques and experimental results”, Phys. Usp., 39:8 (1996), 847–848 |
|
Обратная связь: