|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
А. А. Семенов, А. С. Игнатьев, “О сходимости гибридного SAT+ROBDD-логического вывода”, ПДМ. Приложение, 2012, № 5, 118–120  |
|
2010 |
| 2. |
А. С. Игнатьев, А. А. Семенов, “Алгоритмы работы с ROBDD как с базами булевых ограничений”, ПДМ, 2010, № 1(7), 86–104 |
1
|
|
2009 |
| 3. |
А. С. Игнатьев, А. А. Семенов, Д. В. Беспалов, О. С. Заикин, “Гибридный подход (SAT+ROBDD) в задачах криптоанализа поточных систем шифрования”, ПДМ, 2009, № приложение к № 1, 19–20 |
|
1992 |
| 4. |
А. С. Игнатьев, В. Э. Каминский, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Г. 3. Немцев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин, “Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику
туннельно-резонансных диодов”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1795–1800 |
| 5. |
А. С. Игнатьев, А. Г. Петрова, Ю. Э. Рябов, “Исследование процессов формирования слоев нитрида титана
при низкоэнергетической имплантации ионов азота в титан”, Письма в ЖТФ, 18:10 (1992), 67–73  |
|
1987 |
| 6. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, А. С. Игнатьев, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, “Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si
методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 920–922 |
|
1986 |
| 7. |
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, C. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха, “Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования
структур
GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1198–1201 |
|
1984 |
| 8. |
А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, В. А. Рыбин, В. В. Сарайкин, “Электронная оже-спектрометрия тонких пленок силицидов платины
на кремнии”, ЖТФ, 54:6 (1984), 1212–1214 |
|
Обратная связь: