|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. В. Пенцов, Ю. П. Сморчкова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb
для спектрального диапазона 3$-$5 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 50–53   |
|
1991 |
| 2. |
И. А. Андреев, М. П. Михайлова, С. В. Мельников, Ю. П. Сморчкова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1429–1436 |
| 3. |
М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, М. П. Михайлова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением
в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 298–306 |
| 4. |
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых
растворов GaInSbAs : Mn”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 276–282 |
|
1990 |
| 5. |
М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, А. П. Дмитриев, М. П. Михайлова, Ю. П. Сморчкова, И. Н. Тимченко, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых
растворов GaSb$-$InAs”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1397–1406 |
| 6. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, И. Н. Тимченко, В. Е. Шестнев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе
InAs/InAsSbP для спектрального диапазона
2$-$3.5 мкм”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 27–32 |
|
1989 |
| 7. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, Н. Н. Марьинская, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения
и умножения для области спектра
1.6$-$2.4 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 71–76 |
| 8. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий
$p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb
для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 15–19 |
|
1988 |
| 9. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения
и умножения
на основе GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 986–991 |
| 10. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Усиление фототока в изотипной
структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:5 (1988), 389–393 |
|
1987 |
| 11. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 481–485 |
|
1986 |
| 12. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, В. Г. Данильченко, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1311–1315 |
|
1985 |
| 13. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах
GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1605–1611 |
|
1984 |
| 14. |
И. А. Андреев, М. П. Михайлова, А. Н. Семенов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. М. Филаретова, “Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных
твердых растворах на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 545–547 |
|
1983 |
| 15. |
А. П. Дмитриев, М. П. Михайлова, И. Н. Яссиевич, “Ударная ионизация дырками в полупроводниках со сложной структурой
валентной зоны”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 875–880 |
| 16. |
В. И. Корольков, М. П. Михайлова, “Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых
соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 569–582 |
| 17. |
А. П. Дмитриев, М. П. Михайлова, И. Н. Яссиевич, “Ударная ионизация электронами в полупроводниках
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 46–51 |
|
1966 |
| 18. |
М. П. Михайлова, “Движение поршня в теплопроводной и вязкой среде”, Докл. АН СССР, 169:1 (1966), 55–57  |
|
1965 |
| 19. |
М. П. Михайлова, В. В. Подгорнов, “О дифференциальных неравенствах для уравнений с запаздывающим аргументом”, Дифференц. уравнения, 1:9 (1965), 1183–1189  |
|
1963 |
| 20. |
М. П. Михайлова, “Движение газа за несимметричным поршнем”, Докл. АН СССР, 148:1 (1963), 61–63 |
|
1961 |
| 21. |
М. П. Михайлова, “Движение поршня с постоянной скоростью в неоднородной среде”, Докл. АН СССР, 141:4 (1961), 826–828 |
|
1950 |
| 22. |
М. П. Михайлова, “Ударные волны в воде”, Тр. МИАН СССР, дополнительный (1950), 53–67 |
|
Обратная связь: