Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Георгобиани Анатолий Неофитович
(1930–2014)
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 30
Научных статей: 28

Статистика просмотров:
Эта страница:424
Страницы публикаций:2380
Полные тексты:1225
профессор
доктор физико-математических наук (1970)

https://www.mathnet.ru/rus/person45013
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20374

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1991
1. А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, А. В. Буреев, А. Д. Левит, “Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов CdS : Li”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  390–393  mathnet
1988
2. А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, “Излучательная рекомбинация носителей в полупроводниках с участием бинарных комплексов дефектов”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2146–2150  mathnet
3. А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1110–1112  mathnet
4. С. И. Веденеев, А. Н. Георгобиани, А. Д. Левит, Н. Г. Рамбиди, П. А. Тодуа, Е. Ф. Шестакова, Б. Т. Эльтазаров, “Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  936–938  mathnet
5. А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, А. Д. Левит, “Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  780–783  mathnet
6. А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, “Антиструктурные дефекты в соединениях $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  3–15  mathnet
1987
7. А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Т. М. Мурина, А. М. Прохоров, “Влияние температуры образца на рассеяние света примесными скоплениями в фосфиде индия”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2125–2129  mathnet
1986
8. А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения”, Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1179–1180  mathnet  isi
9. А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$»”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2131  mathnet; A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»”, Semiconductors, 20:11 (1986), 1332  isi
10. А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Температурная зависимость края поглощения в соединениях CdGa$_{2}$Se$_{4}$ и CdIn$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1914–1916  mathnet
11. А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1116–1118  mathnet
1985
12. А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Фотопроводимость фосфида индия, обусловленная антиструктурным дефектом P$_{\text{In}}$”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1310–1312  mathnet
13. А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  810–813  mathnet
14. А. Н. Георгобиани, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Широкозонные полупроводники A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  193–212  mathnet
15. А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, О. В. Огнева, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну, “Свойства $p{-}n$-перехода, полученного ионной имплантацией магния в InP”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  160–161  mathnet
1984
16. А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1812–1815  mathnet
17. А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Б. Н. Левонович, Н. В. Сердюк, “Электролюминесцентные характеристики светодиода на основе ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  408–411  mathnet
18. О. В. Богданкевич, А. Н. Георгобиани, В. Г. Дюков, О. Д. Кнаб, А. Д. Левит, В. Б. Митюхляев, О. Е. Струмбан, П. А. Тодуа, В. Н. Файфер, “Запись электронным зондом на монокристаллах сульфида кадмия”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  392–394  mathnet  isi
1983
19. А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну, “Фотолюминесценция кристаллов InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2177–2179  mathnet
20. А. Н. Георгобиани, В. С. Дону, З. П. Илюхина, В. И. Павленко, И. М. Тигиняну, “Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1524–1525  mathnet
21. А. Н. Георгобиани, А. В. Микулнок, Е. И. Панасюк, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Глубокие центры в не легированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  593–598  mathnet
22. А. Н. Георгобиани, А. А. Камарзин, Е. С. Логозинская, Ж. А. Пухлий, “Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  316–318  mathnet
23. О. В. Богданкевич, А. Н. Георгобиани, В. Г. Солин, П. А. Тодуа, “Исследование профиля показателя преломления в многослойных лазерных гетероструктурах на основе Ga<sub>1–x</sub>Al<sub>x</sub>As”, Квантовая электроника, 10:2 (1983),  426–427  mathnet [O. V. Bogdankevich, A. N. Georgobiani, V. G. Solin, P. A. Todua, “Investigation of the refractive index profiles of multilayer Ga<sub>1–x</sub>Al<sub>x</sub>As laser heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 13:2 (1983), 240–241  isi]
1982
24. А. Н. Георгобиани, М. В. Глушков, А. А. Камарзин, Е. С. Логозинская, Ю. Н. Маловицкий, Ж. А. Пухлий, В. В. Соколов, И. М. Тигиняну, И. А. Щербаков, “Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов γ-La<sub>2</sub>S<sub>3</sub>”, Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1515–1517  mathnet [A. N. Georgobiani, M. V. Glushkov, A. A. Kamarzin, E. S. Logozinskaya, Yu. N. Malovitskiǐ, Zh. A. Pukhliǐ, V. V. Sokolov, I. M. Tiginyanu, I. A. Shcherbakov, “Investigation of some photoelectric and luminescence properties of γ -La<sub>2</sub>S<sub>3</sub> single crystals”, Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 972–974  isi] 8
1980
25. А. Н. Георгобиани, Л. Н. Иванов, В. Г. Солин, П. А. Тодуа, “Исследование параметров модуляторов лазерного излучения на эффекте Франца-Келдыша”, Квантовая электроника, 7:3 (1980),  624–626  mathnet [A. N. Georgobiani, L. N. Ivanov, V. G. Solin, P. A. Todua, “Investigation of the parameters of laser radiation modulators utilizing the Franz-Keldysh effect”, Sov J Quantum Electron, 10:3 (1980), 354–355  isi] 1
1979
26. Л. Н. Курбатов, Г. С. Козина, Т. А. Костинская, В. С. Рудневский, И. М. Ткаченко, А. H. Георгобиани, В. Б. Гутан, “Электронно-лучевой ультрафиолетовый полупроводниковый лазер”, Квантовая электроника, 6:9 (1979),  2045–2046  mathnet [L. N. Kurbatov, G. S. Kozina, T. A. Kostinskaya, V. S. Rudnevskiǐ, I. M. Tkachenko, A. N. Georgobiani, V. B. Gutan, “Electron-beam-excited ultraviolet semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 9:9 (1979), 1204–1205]
1975
27. О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, А. Н. Георгобиани, В. Б. Гутан, 3. И. Илюхина, Б. М. Лаврушин, О. В. Матвеев, Е. И. Панесюк, В. Ф. Певцов, Н. Л. Полетаев, “Плавная перестройка частоты генерации в лазерах с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2231–2237  mathnet [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, A. N. Georgobiani, V. B. Gutan, Z. I. Ilyukhina, B. M. Lavrushin, O. V. Matveev, E. I. Panesyuk, V. F. Pevtsov, N. L. Poletaev, “Continuous tuning of the emission frequency of electronbeam- pumped lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:10 (1975), 1215–1218] 1
1974
28. А. Н. Георгобиани, “Широкозонные полупроводники A$^\mathrm{II}$B$^\mathrm{VI}$ и перспективы их применения”, УФН, 113:1 (1974),  129–155  mathnet; A. N. Georgobiani, “Wide-band II–VI semiconductors and the prospects of their application”, Phys. Usp., 17:3 (1974), 424–437 33
2008
29. А. Г. Витухновский, И. Г. Зубарев, Л. В. Келдыш, О. Н. Крохин, А. М. Леонтович, А. В. Масалов, Ю. П. Тимофеев, З. А. Чижикова, А. Н. Георгобиани, “Памяти Михаила Дмитриевича Галанина (7.02.1915 — 3.05.2008)”, Квантовая электроника, 38:6 (2008),  612  mathnet  elib [A. G. Vitukhnovsky, I. G. Zubarev, L. V. Keldysh, O. N. Krokhin, A. M. Leontovich, A. V. Masalov, Yu. P. Timofeev, Z. A. Chizhikova, A. N. Georgobiani, “Mikhail Dmitrievich Galanin (7.02.1915 — 3.05.2008)”, Quantum Electron., 38:6 (2008), 612  isi]
30. В. М. Агранович, Ю. Н. Вавилов, А. Г. Витухновский, А. Н. Георгобиани, В. Л. Гинзбург, О. Н. Крохин, В. С. Лебедев, А. М. Леонтович, А. В. Масалов, Ю. П. Тимофеев, З. А. Чижикова, “Памяти Михаила Дмитриевича Галанина”, УФН, 178:11 (2008),  1237–1238  mathnet; V. M. Agranovich, Yu. N. Vavilov, A. G. Vitukhnovskii, A. N. Georgobiani, V. L. Ginzburg, O. N. Krokhin, V. S. Lebedev, A. M. Leontovich, A. V. Masalov, Yu. P. Timofeev, Z. A. Chizhikova, “In memory of Mikhail Dmitrievich Galanin”, Phys. Usp., 51:11 (2008), 1191–1192  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024