|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
1. |
А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, А. В. Буреев, А. Д. Левит, “Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов
CdS : Li”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 390–393 |
|
1988 |
2. |
А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, “Излучательная рекомбинация носителей в полупроводниках с участием
бинарных комплексов дефектов”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2146–2150 |
3. |
А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1110–1112 |
4. |
С. И. Веденеев, А. Н. Георгобиани, А. Д. Левит, Н. Г. Рамбиди, П. А. Тодуа, Е. Ф. Шестакова, Б. Т. Эльтазаров, “Излучательные и электрофизические свойства МДП структур
на основе CdS и ленгмюровской пленки”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 936–938 |
5. |
А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, А. Д. Левит, “Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность
и люминесценцию CdS в краевой области спектра”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 780–783 |
6. |
А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, “Антиструктурные дефекты в соединениях
$A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 3–15 |
|
1987 |
7. |
А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Т. М. Мурина, А. М. Прохоров, “Влияние температуры образца на рассеяние света примесными скоплениями
в фосфиде индия”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2125–2129 |
|
1986 |
8. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1179–1180 |
9. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена
на спектры фотопроводимости и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$»”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2131 ; A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»”, Semiconductors, 20:11 (1986), 1332 |
10. |
А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Температурная зависимость края поглощения в соединениях
CdGa$_{2}$Se$_{4}$ и CdIn$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1914–1916 |
11. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости
и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1116–1118 |
|
1985 |
12. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Фотопроводимость фосфида индия, обусловленная антиструктурным дефектом
P$_{\text{In}}$”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1310–1312 |
13. |
А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида
индия”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 810–813 |
14. |
А. Н. Георгобиани, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Широкозонные полупроводники
A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические
и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 193–212 |
15. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, О. В. Огнева, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну, “Свойства $p{-}n$-перехода, полученного ионной имплантацией магния
в InP”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 160–161 |
|
1984 |
16. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах
InP$\langle$Fe$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1812–1815 |
17. |
А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Б. Н. Левонович, Н. В. Сердюк, “Электролюминесцентные характеристики светодиода на основе
ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 408–411 |
18. |
О. В. Богданкевич, А. Н. Георгобиани, В. Г. Дюков, О. Д. Кнаб, А. Д. Левит, В. Б. Митюхляев, О. Е. Струмбан, П. А. Тодуа, В. Н. Файфер, “Запись электронным зондом
на монокристаллах сульфида кадмия”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 392–394 |
|
1983 |
19. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну, “Фотолюминесценция кристаллов
InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2177–2179 |
20. |
А. Н. Георгобиани, В. С. Дону, З. П. Илюхина, В. И. Павленко, И. М. Тигиняну, “Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1524–1525 |
21. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микулнок, Е. И. Панасюк, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Глубокие центры в не легированных и легированных железом
монокристаллах фосфида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 593–598 |
22. |
А. Н. Георгобиани, А. А. Камарзин, Е. С. Логозинская, Ж. А. Пухлий, “Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах
$\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 316–318 |
23. |
О. В. Богданкевич, А. Н. Георгобиани, В. Г. Солин, П. А. Тодуа, “Исследование профиля показателя преломления в многослойных лазерных гетероструктурах на основе Ga<sub>1–x</sub>Al<sub>x</sub>As”, Квантовая электроника, 10:2 (1983), 426–427 [O. V. Bogdankevich, A. N. Georgobiani, V. G. Solin, P. A. Todua, “Investigation of the refractive index profiles of multilayer Ga<sub>1–x</sub>Al<sub>x</sub>As laser heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 13:2 (1983), 240–241 ] |
|
1982 |
24. |
А. Н. Георгобиани, М. В. Глушков, А. А. Камарзин, Е. С. Логозинская, Ю. Н. Маловицкий, Ж. А. Пухлий, В. В. Соколов, И. М. Тигиняну, И. А. Щербаков, “Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов γ-La<sub>2</sub>S<sub>3</sub>”, Квантовая электроника, 9:7 (1982), 1515–1517 [A. N. Georgobiani, M. V. Glushkov, A. A. Kamarzin, E. S. Logozinskaya, Yu. N. Malovitskiǐ, Zh. A. Pukhliǐ, V. V. Sokolov, I. M. Tiginyanu, I. A. Shcherbakov, “Investigation of some photoelectric and luminescence properties of γ -La<sub>2</sub>S<sub>3</sub> single crystals”, Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 972–974 ] |
8
|
|
1980 |
25. |
А. Н. Георгобиани, Л. Н. Иванов, В. Г. Солин, П. А. Тодуа, “Исследование параметров модуляторов лазерного излучения на эффекте Франца-Келдыша”, Квантовая электроника, 7:3 (1980), 624–626 [A. N. Georgobiani, L. N. Ivanov, V. G. Solin, P. A. Todua, “Investigation of the parameters of laser radiation modulators utilizing the Franz-Keldysh effect”, Sov J Quantum Electron, 10:3 (1980), 354–355 ] |
1
|
|
1979 |
26. |
Л. Н. Курбатов, Г. С. Козина, Т. А. Костинская, В. С. Рудневский, И. М. Ткаченко, А. H. Георгобиани, В. Б. Гутан, “Электронно-лучевой ультрафиолетовый полупроводниковый лазер”, Квантовая электроника, 6:9 (1979), 2045–2046 [L. N. Kurbatov, G. S. Kozina, T. A. Kostinskaya, V. S. Rudnevskiǐ, I. M. Tkachenko, A. N. Georgobiani, V. B. Gutan, “Electron-beam-excited ultraviolet semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 9:9 (1979), 1204–1205] |
|
1975 |
27. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, А. Н. Георгобиани, В. Б. Гутан, 3. И. Илюхина, Б. М. Лаврушин, О. В. Матвеев, Е. И. Панесюк, В. Ф. Певцов, Н. Л. Полетаев, “Плавная перестройка частоты генерации в лазерах с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 2:10 (1975), 2231–2237 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, A. N. Georgobiani, V. B. Gutan, Z. I. Ilyukhina, B. M. Lavrushin, O. V. Matveev, E. I. Panesyuk, V. F. Pevtsov, N. L. Poletaev, “Continuous tuning of the emission frequency of electronbeam- pumped lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:10 (1975), 1215–1218] |
1
|
|
1974 |
28. |
А. Н. Георгобиани, “Широкозонные полупроводники A$^\mathrm{II}$B$^\mathrm{VI}$ и перспективы их применения”, УФН, 113:1 (1974), 129–155 ; A. N. Georgobiani, “Wide-band II–VI semiconductors and the prospects of their application”, Phys. Usp., 17:3 (1974), 424–437 |
32
|
|
|
|
2008 |
29. |
А. Г. Витухновский, И. Г. Зубарев, Л. В. Келдыш, О. Н. Крохин, А. М. Леонтович, А. В. Масалов, Ю. П. Тимофеев, З. А. Чижикова, А. Н. Георгобиани, “Памяти Михаила Дмитриевича Галанина (7.02.1915 — 3.05.2008)”, Квантовая электроника, 38:6 (2008), 612 [A. G. Vitukhnovsky, I. G. Zubarev, L. V. Keldysh, O. N. Krokhin, A. M. Leontovich, A. V. Masalov, Yu. P. Timofeev, Z. A. Chizhikova, A. N. Georgobiani, “Mikhail Dmitrievich Galanin (7.02.1915 — 3.05.2008)”, Quantum Electron., 38:6 (2008), 612 ] |
30. |
В. М. Агранович, Ю. Н. Вавилов, А. Г. Витухновский, А. Н. Георгобиани, В. Л. Гинзбург, О. Н. Крохин, В. С. Лебедев, А. М. Леонтович, А. В. Масалов, Ю. П. Тимофеев, З. А. Чижикова, “Памяти Михаила Дмитриевича Галанина”, УФН, 178:11 (2008), 1237–1238 ; V. M. Agranovich, Yu. N. Vavilov, A. G. Vitukhnovskii, A. N. Georgobiani, V. L. Ginzburg, O. N. Krokhin, V. S. Lebedev, A. M. Leontovich, A. V. Masalov, Yu. P. Timofeev, Z. A. Chizhikova, “In memory of Mikhail Dmitrievich Galanin”, Phys. Usp., 51:11 (2008), 1191–1192 |
|