|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Васильев, Е. В. Журавкевич, В. П. Чалый, А. Л. Тер-Мартиросян, А. В. Овчинников, В. Б. Халфин, “Влияние внутренних потоков в расплаве при росте эпитаксиальных слоев
на движущуюся подложку”, ЖТФ, 59:1 (1989), 92–97   |
| 2. |
И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. С. Шаймеев, “Параметры распределения дивакансий в нейтронно-облученном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1519–1520 |
| 3. |
И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. С. Шаймеев, “Особенности отжига дивакансии в кремнии, содержащем разупорядоченные
области”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1076–1079 |
| 4. |
И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. С. Шаймеев, “Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических
воздействиях”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 253–256 |
|
1988 |
| 5. |
А. В. Васильев, В. В. Михнович, С. А. Смагулова, “Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1137–1139 |
| 6. |
И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. СюШаймеев, “Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников
с неоднородным распределением примесей (дефектов)”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 998–1003 |
| 7. |
А. И. Ашин, И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. С. Шаймеев, “Влияние интенсивности облучения быстрыми нейтронами
на процессы дефектообразования в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 692–696 |
|
1987 |
| 8. |
А. В. Чудинов, В. П. Чалый, А. Е. Свелокузов, А. В. Васильев, А. Л. Тер-Мартиросян, Д. З. Гарбузов, “Фотолюминесцентные исследования
InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1217–1222 |
| 9. |
И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа,
легированного магнием”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 684–687 |
| 10. |
А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии
$n$-типа от температуры облучения электронами”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 573–575 |
|
1986 |
| 11. |
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Л. С. Смирнов, “Смена системы энергетических уровней в запрещенной зоне как фактор,
контролирующий скорость реакций между заряженными дефектами
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1132–1134 |
| 12. |
А. В. Васильев, Л. С. Смирнов, С. C. Шаймеев, “Об уровнях дивакансии в запрещенной зоне кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 737–739 |
| 13. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 561–564 |
|
1985 |
| 14. |
А. В. Васильев, М. И. Изтелеуов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “О параметрах разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2073–2074 |
| 15. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “Накопление точечных дефектов в кремнии, содержащем трансформированные
отжигом разупорядоченные области”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 952–955 |
| 16. |
А. В. Васильев, В. Ю. Некрасов, А. А. Поляков, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Сдвиг частоты и уширение спектра пикосекундных световых импульсов при их распространении в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 34–38 |
|
1984 |
| 17. |
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Количественные оценки параметров образования основных радиационных
дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2177–2181 |
|
1983 |
| 18. |
С. Н. Вальковский, А. В. Васильев, Е. И. Логачева, А. И. Рыскин, “Неоднородное уширение бесфононной линии примесного центра при различных условиях пластической деформации кристаллов CaF$_{2}$ : Eu”, Физика твердого тела, 25:10 (1983), 3012–3018 |
| 19. |
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, “О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования
в кремнии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1663–1666 |
| 20. |
А. В. Васильев, И. А. Копшик, С. А. Смагулова, М. А. Цвайгерт, С. С. Шаймеев, “Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1155–1157 |
| 21. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “К вопросу о методике обработки спектров DLTS”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 162–164 |
| 22. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, “Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей
в кремнии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 30–34 |
|
1975 |
| 23. |
А. В. Васильев, “Описание стационарных вероятностей некоторых марковских систем взаимодействия”, Пробл. передачи информ., 11:4 (1975), 109–112  ; A. V. Vasil'ev, “Description of Stationary Probabilities of Some Markov Interaction Systems”, Problems Inform. Transmission, 11:4 (1975), 344–346 |
|
1973 |
| 24. |
А. В. Васильев, А. В. Коганов, “Об одной модели оптимального поведения в неизвестной
среде”, Пробл. передачи информ., 9:4 (1973), 58–65  ; A. V. Vasil'ev, A. V. Koganov, “A Model of Optimal Behavior in an Unknown Medium”, Problems Inform. Transmission, 9:4 (1973), 314–320 |
|
1971 |
| 25. |
А. В. Васильев, “Об одной задаче сортировки”, Пробл. передачи информ., 7:3 (1971), 109–111 ; A. V. Vasil'ev, “A Sorting Problem”, Problems Inform. Transmission, 7:3 (1971), 278–280 |
|
1968 |
| 26. |
А. В. Васильев, “О регулировании численности клеточной популяции, состоящей из клеток двух типов”, Пробл. передачи информ., 4:4 (1968), 84–85 ; A. V. Vasil'ev, “Control of the Numbers of a Cell Population Consisting of Cells of Two Types”, Problems Inform. Transmission, 4:4 (1968), 72–73 |
|
|
|
1997 |
| 27. |
А. В. Васильев, “Математика за последние 50 лет”, Матем. обр., 1997, № 3, 75–91 |
|
Обратная связь: