|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, С. А. Федотов, “Флуктуации зарядового
состояния ионов: возможная причина
увеличения
дисперсии пробегов при высокоэнергетичной ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 17:5 (1991), 69–72   |
|
1990 |
| 2. |
А. Ф. Буренков, А. И. Кирковский, В. А. Цурко, “Численное моделирование формирования субмикронных легированных областей в полупроводниковых структурах”, Матем. моделирование, 2:10 (1990), 13–25  |
| 3. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, С. А. Федотов, “Модель каналирования ионов бора
при высокоэнергетичном ионном
легировании кристаллов кремния”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 4–8 |
|
1988 |
| 4. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, “Высокоэнергетичная ионная имплантация”, ЖТФ, 58:3 (1988), 559–566 |
| 5. |
А. Ф. Буренков, Ю. И. Дудчик, Ф. Ф. Комаров, “К вопросу об излучении при каналировании электронов с энергией 16.9, 30.5, 54.5 МэВ в алмазе”, ЖТФ, 58:1 (1988), 195–197 |
|
1986 |
| 6. |
В. М. Анищик, А. Ф. Буренков, А. Ф. Комаров, “Эффекты, сопутствующие каналированию ультрарелятивистских электронов
в кристаллах”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2214–2220 |
|
1985 |
| 7. |
А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, Ю. И. Дудчик, “Уширение линий спонтанного излучения при плосткостном каналировании
электронов”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2184–2190 |
|
Обратная связь: