|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
В. А. Федирко, С. В. Поляков, А. Л. Касаткин, “Исследование уравнения пиннинга абрикосовского вихря на линейном дефекте в пластине сверхпроводника”, Матем. моделирование, 26:1 (2014), 33–41   ; V. A. Fedirko, S. V. Polyakov, A. L. Kasatkin, “Study of an equation for Abrikosov vortex pinning on a linear defect in a superconducting slab”, Math. Models Comput. Simul., 6:4 (2014), 408–414  |
3
|
|
2012 |
| 2. |
В. А. Федирко, Д. А. Зенюк, С. В. Поляков, “К моделированию туннельного переноса электронов из ультратонкого лезвийного автокатода”, Матем. моделирование, 24:12 (2012), 13–22 |
|
2010 |
| 3. |
В. А. Федирко, С. В. Поляков, Д. А. Зенюк, “Матричный метод для моделирования туннельного переноса”, Матем. моделирование, 22:5 (2010), 3–14 ; V. A. Fedirko, S. V. Polyakov, D. A. Zenyuk, “Matrix method for modeling of tunneling transport”, Math. Models Comput. Simul., 2:6 (2010), 704–713 |
6
|
|
1997 |
| 4. |
В. А. Федирко, В. А. Николаева, “Полевая эмиссия из кремния”, Матем. моделирование, 9:9 (1997), 75–82 |
1
|
|
1995 |
| 5. |
Н. Г. Белова, В. А. Федирко, “Численное моделирование методом макрочастиц электронного переноса в микровакуумных структурах с аксиальной симметрией”, Матем. моделирование, 7:9 (1995), 3–14 |
|
1991 |
| 6. |
В. А. Федирко, А. А. Захарова, “Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности
дырочной плазмы”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1607–1612 |
|
1989 |
| 7. |
В. В. Вьюрков, В. А. Федирко, “Возможные квантовые особенности одномерного баллистического
транспорта в полупроводниковых структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1713–1715 |
|
1987 |
| 8. |
В. А. Федирко, Г. Ю. Хренов, “Распределение электронов при диффузной инжекции через гетеропереход”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1756–1761 |
|
1986 |
| 9. |
Л. Д. Сагинов, Ю. В. Скоков, В. А. Федирко, “Преобразование энергии в микроволновые колебания плазмы полупроводниковых структур с баллистическим переносом”, Докл. АН СССР, 291:1 (1986), 100–103 |
| 10. |
К. О. Болтарь, В. А. Федирко, “Преобразование поверхностной электромагнитной волны дифракционной
решеткой на диэлектрической пленке”, ЖТФ, 56:5 (1986), 917–918  |
| 11. |
В. А. Беспалов, К. О. Болтарь, В. А. Федирко, Г. Ю. Хренов, “Исследование протекания тока в субмикронных полупроводниковых
структурах при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1239–1242 |
|
1984 |
| 12. |
И. А. Лубашевский, В. Д. Пищалко, В. И. Рыжий, В. А. Федирко, “Влияние неоднородного разогрева носителей заряда
при оже-рекомбинации
на фотопроводимость полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1823–1826 |
| 13. |
В. И. Рыжий, В. А. Федирко, И. И. Хмырова, “К теории высокочастотных свойств баллистических биполярных
гетеротранзисторов”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1303–1306 |
| 14. |
В. И. Рыжий, В. А. Федирко, “Высокочастотные свойства баллистических биполярных транзисторов
с неоднородной базой”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1107–1110 |
| 15. |
В. И. Рыжий, В. А. Федирко, И. И. Хмырова, “Особенности высокочастотных свойств баллистических биполярных
гетеротранзисторов”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 845–849 |
| 16. |
В. И. Рыжий, Н. А. Баннов, В. А. Федирко, “Баллистический и квазибаллистический транспорт в полупроводниковых структурах”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 769–786 |
| 17. |
И. А. Лубашевский, В. И. Рыжий, В. А. Федирко, “Влияние разогрева электронов и дырок на собственную
фотопроводимость полупроводников в условиях оже-рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 191–194 |
|
1983 |
| 18. |
В. И. Рыжий, В. А. Федирко, “Отрицательная дифференциальная проводимость тонких полупроводниковых
слоев при междолинном рассеянии электронов”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1340–1341 |
| 19. |
Н. А. Баннов, В. И. Рыжий, В. А. Федирко, “Особенности высокочастотных свойств симметричной диодной структуры
при баллистическом движении электронов”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 57–60 |
|
Обратная связь: