|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, Е. И. Рюмцев, А. П. Ковшик, В. Ю. Михайловский, “Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 202–204   ; A. M. Yafyasov, V. B. Bozhevol'nov, E. I. Ryumtsev, A. P. Kovshik, V. Yu. Mikhailovskii, “New mechanism of semiconductor polarization at the interface with an organic insulator”, Semiconductors, 51:2 (2017), 193–195 |
|
2016 |
| 2. |
B. Pavlov, A. Yafyasov, “Resonance scattering across the superlattice barrier and the dimensional quantization”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016), 816–834  |
| 3. |
I. Yu. Popov, P. A. Kurasov, S. N. Naboko, A. A. Kiselev, A. E. Ryzhkov, A. M. Yafyasov, G. P. Miroshnichenko, Yu. E. Karpeshina, V. I. Kruglov, T. F. Pankratova, A. I. Popov, “A distinguished mathematical physicist Boris S. Pavlov”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016), 782–788 |
6
|
|
2011 |
| 4. |
N. Bagraev, G. Martin, B. S. Pavlov, A. Yafyasov, “Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich”, Наносистемы: физика, химия, математика, 2:4 (2011), 32–50 |
|
2010 |
| 5. |
G. Martin, A. M. Yafyasov, B. S. Pavlov, “Resonance one-body scattering on a junction”, Наносистемы: физика, химия, математика, 1:1 (2010), 108–147 |
|
1992 |
| 6. |
А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин, В. Б. Божевольнов, “Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев
бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля
в электролитах”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 636–643 |
|
1991 |
| 7. |
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, А. Д. Перепелкин, “Электрофизические свойства слоистой структуры на основе (CdHg)Te
в системе полупроводник$-$электролит”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1339–1343 |
| 8. |
А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин, “Исследование скоростей заполнения квантовых подзон ОПЗ узкощелевых
полупроводников (CdHg)Te”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 748–750 |
| 9. |
А. Д. Перепелкин, А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, “Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых
полупроводников Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом эффекта поля в электролите”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 156–159 |
|
1990 |
| 10. |
А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин, Ю. Н. Мясоедов, М. В. Матвиив, “Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов
(MnHg)Te”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 875–878 |
|
1987 |
| 11. |
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, А. Д. Перепелкин, “Эффект поля на бесщелевом полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1144–1147 |
| 12. |
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, А. Д. Переплкин, “Исследование плотности электронных состояний в разрешенных зонах на
поверхности
(CdHg)Te”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 633–637 |
|
1986 |
| 13. |
В. В. Монахов, А. М. Яфясов, О. В. Романов, “Определение плотности состояний в разрешенных зонах антимонида индия
и сульфида свинца”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 954–957 |
|
1984 |
| 14. |
В. Я. Урицкий, О. В. Романов, А. М. Яфясов, “Характеристики межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$ и поверхностная подвижность дырок в инверсионном слое”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 393–397 |
|
1983 |
| 15. |
М. В. Капитонов, О. В. Романов, А. М. Яфясов, “Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов
на полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 818–823 |
|
Обратная связь: