|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Б. С. Кондратьев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, М. Л. Тиранов, “Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения
пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 647–652  |
|
1989 |
| 2. |
М. М. Аникин, В. В. Евстропов, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Разновидность неклассического термоинжекционного тока
в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1813–1818 |
| 3. |
М. М. Аникин, В. В. Евстропов, И. В. Попов, В. Н. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых
$p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 647–651 |
|
1988 |
| 4. |
М. М. Аникин, М. Е. Левинштейн, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя
в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1574–1579 |
| 5. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Электрические характеристики эпитаксиальных
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 298–300 |
| 6. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, С. Н. Пятко, В. П. Растегаев, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким
$p{-}n$-переходом”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 133–136 |
|
1987 |
| 7. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987), 1168–1171  |
|
1986 |
| 8. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе
эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1654–1657 |
| 9. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур
на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 844–848 |
| 10. |
И. В. Попов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Реактивное ионно-плазменное травление карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 240–243 |
|
1985 |
| 11. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Туннельный диод на основе $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 976–978 |
| 12. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 246–248 |
| 13. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, И. В. Коркин, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, Т. А. Сидорова, А. М. Стрельчук, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 238–241 |
|
1984 |
| 14. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. Е. Севастьянов, А. Л. Сыркин, А. Л. Суворов, В. Е. Челноков, Г. П. Шпынев, “Выпрямительный диод на основе карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984), 1053–1056 |
|
1953 |
| 15. |
И. В. Попов, “Замечание к заметке “Об одном вопросе проф. В. Н. Депутатова””, УМН, 8:3(55) (1953), 151  |
|
1951 |
| 16. |
И. В. Попов, “Об одном вопросе проф. В. Н. Депутатова”, УМН, 6:4(44) (1951), 170–171  |
|
Обратная связь: