|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Л. В. Голубев, А. В. Егоров, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Р. Г. Шаповалов, Ю. В. Шмарцев, “ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на
нескольких подложках”, ЖТФ, 61:3 (1991), 74–79   |
|
1988 |
| 2. |
Л. В. Голубев, А. М. Крещук, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, “Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом
стандартной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 1948–1954 |
| 3. |
В. М. Амусья, Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе
InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 342–344 |
|
1987 |
| 4. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2201–2209 |
| 5. |
Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких
акцепторов в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 949–952 |
| 6. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1264–1267 |
| 7. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Т. В. Чернева, Ю. В. Шмарцев, “Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 188–191 |
|
1985 |
| 8. |
Л. В. Голубев, В. Н. Каряев, С. В. Кидалов, Т. С. Аргунова, И. Л. Шульпина, “Плотность дислокаций и параметры $p{-}n$ структур на основе твердых
растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2280–2282 |
| 9. |
Л. В. Голубев, О. В. Зеленова, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Равновесная электрожидкостная эпитаксия $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 230–233 |
| 10. |
В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 224–226 |
|
1984 |
| 11. |
Л. В. Голубев, О. В. Зеленова, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, ЖТФ, 54:11 (1984), 2233–2237 |
| 12. |
К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной
эпитаксии”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2011–2015 |
| 13. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной
эпитаксии”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1394–1399 |
| 14. |
А. В. Свидзинский, Л. В. Голубев, “Методы теории токовых состояний в сверхпроводящих контактах при температурах, близких к критической”, ТМФ, 59:1 (1984), 129–138 ; A. V. Svidzinskii, L. V. Golubev, “Methods of the theory of current states in superconducting SNS sandwiches at near critical temperatures”, Theoret. and Math. Phys., 59:1 (1984), 404–410 |
1
|
|
1983 |
| 15. |
В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, А. Е. Хачатрян, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии”, ЖТФ, 53:3 (1983), 545–549 |
| 16. |
Л. В. Голубев, С. Г. Коронный, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия InAs”, Письма в ЖТФ, 9:16 (1983), 961–964 |
| 17. |
Л. В. Голубев, С. В. Новиков, С. Н. Савельева, Ю. В. Шмарцев, “Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной
эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 662–666 |
| 18. |
Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)”, Письма в ЖТФ, 9:3 (1983), 155–158 |
|
Обратная связь: