|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Т. А. Нуллер, А. А. Шленский, Т. Г. Югова, “Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных
слоев GaAs, легированных Sn или Te”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 456–460  |
|
1988 |
| 2. |
А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Е. В. Попова, А. А. Шленский, “Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев
в эпитаксиальных структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1792–1795 |
| 3. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, А. В. Говорков, О. М. Бородина, А. С. Брук, “Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении
атомарного водорода в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1203–1207 |
|
1987 |
| 4. |
А. В. Говорков, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. А. Фридман, “Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ”, Письма в ЖТФ, 13:7 (1987), 385–388  |
|
1986 |
| 5. |
А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Е. В. Попова, А. А. Шленский, “Влияние термообработки на люминесцентные и электрофизические
параметры приповерхностных слоев монокристаллических пластин арсенида
галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1588–1593 |
|
1982 |
| 6. |
А. В. Говорков, “Парастатистика и калибровочные симметрии”, ТМФ, 53:2 (1982), 283–295  ; A. V. Govorkov, “Parastatistics and gauge symmetries”, Theoret. and Math. Phys., 53:2 (1982), 1127–1135 |
3
|
|
Обратная связь: