|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
В. А. Воронковский, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев, “Эффект резистивного переключения в мемристорах TaN/HfO$_x$/Ni с филаментом, сформированным под действием локальной электронно-лучевой кристаллизации”, Письма в ЖЭТФ, 117:7 (2023), 550–555  ; V. A. Voronkovskii, A. K. Gerasimova, V. Sh. Aliev, “Resistive switching effect in TaN/HfO$_x$/Ni memristors with a filament formed under local electron-beam crystallization”, JETP Letters, 117:7 (2023), 546–550 |
|
Обратная связь: