|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
1. |
И. В. Юнусов, В. А. Кагадей, А. Ю. Фазлеева, В. С. Арыков, “Гетеропереходные низкобарьерные GаAs-диоды с улучшенной обратной вольт-амперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1123–1127 ; I. V. Yunusov, V. A. Kagadei, A. Yu. Fazleeva, V. S. Arykov, “Heterojunction low-barrier GаAs diodes with an improved reverse I–V characteristic”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1102–1106 |
|