|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
1. |
Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров, И. В. Федин, В. А. Кагадей, “Формирование низкорезистивного Cu$_{3}$Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1258–1262 ; E. V. Erofeev, A. I. Kazimirov, I. V. Fedin, V. A. Kagadei, “Formation of the low-resistivity compound Cu$_{3}$Ge by low-temperature treatment in an atomic hydrogen flux”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1236–1240 |
1
|
2. |
И. В. Юнусов, В. А. Кагадей, А. Ю. Фазлеева, В. С. Арыков, “Гетеропереходные низкобарьерные GаAs-диоды с улучшенной обратной вольт-амперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1123–1127 ; I. V. Yunusov, V. A. Kagadei, A. Yu. Fazleeva, V. S. Arykov, “Heterojunction low-barrier GаAs diodes with an improved reverse I–V characteristic”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1102–1106 |
|