|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
П. А. Аверичкин, А. А. Донсков, М. П. Духновский, С. Н. Князев, Ю. П. Козлова, Т. Г. Югова, И. А. Белогорохов, “Создание карбидкремнийоксидных нанослоев на поверхности поликристаллического алмаза для использования их в качестве буферов при эпитаксии нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 563–566   ; P. A. Averichkin, A. A. Donskov, M. P. Duhnovskii, S. N. Knyazev, Yu. P. Kozlova, T. G. Yugova, I. A. Belogorohov, “Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy”, Semiconductors, 50:4 (2016), 555–558 |
| 2. |
А. А. Югов, С. С. Малахов, А. А. Донсков, М. П. Духновский, С. Н. Князев, Ю. П. Козлова, Т. Г. Югова, И. А. Белогорохов, “Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 415–419 ; A. A. Yugov, S. S. Malakhov, A. A. Donskov, M. P. Duhnovskii, S. N. Knyazev, Yu. P. Kozlova, T. G. Yugova, I. A. Belogorohov, “Effect of the Ti-nanolayer thickness on the self-lift-off of thick GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 50:3 (2016), 411–414 |
|
Обратная связь: