|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1599–1604   ; N. A. Baidakova, V. A. Verbus, E. E. Morozova, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1542–1546 |
10
|
|
Обратная связь: