Персоналии: Степаненко Михаил Валерьевич

Персоналии

RUS ENG

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

Степаненко Михаил Валерьевич

	Публикации в базе данных Math-Net.Ru	Цитирования
	2017
1.	Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко, А. В. Юрьева, “Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1278–1281 ; E. V. Erofeev, I. V. Fedin, V. V. Fedina, M. V. Stepanenko, A. V. Yuryeva, “High-voltage MIS-gated GaN transistors”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1229–1232	1

Организации

Обратная связь: