Персоналии: Zhang Jon Q

Персоналии

RUS ENG

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

Zhang Jon Q

	Публикации в базе данных Math-Net.Ru	Цитирования
	2017
1.	В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1243–1248 ; V. S. Yuferev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Transient switch-off of a 4$H$-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1194–1199	2

Обратная связь: