|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, И. В. Кутков, Ю. Н. Юрьев, “Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 253–257   ; E. V. Erofeev, I. V. Fedin, I. V. Kutkov, Y. N. Yurjev, “Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment”, Semiconductors, 51:2 (2017), 245–248 |
|
Обратная связь: