|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123   ; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 |
2
|
|
2016 |
| 2. |
Н. И. Бочкарева, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1387–1394 ; N. I. Bochkareva, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “Efficiency droop in GaN LEDs at high injection levels: Role of hydrogen”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1369–1376 |
6
|
|
Обратная связь: